ZHCSQS9E November 2007 – January 2024 TPS5430-Q1
PRODUCTION DATA
TPS5430-Q1 是一款 3A 降压稳压器,具有一个集成式高侧 N 沟道 MOSFET。TPS5430-Q1 通过高达 36V 的电源轨运行。该器件通过电压前馈实现恒定频率电压模式控制,来改善线性调整率和线性瞬态响应。内部补偿降低了设计复杂性并减少了外部元件数量。
集成式 100mΩ 高侧 MOSFET 支持高效电源设计,可以向负载提供 3A 的连续电流。从 BOOT 连接至 PH 引脚的自举电容器为集成高侧 MOSFET 提供栅极驱动偏置电压。该器件通过集成自举再充电二极管来减少外部元件数量。
TPS5430-Q1 的默认输入启动电压为 5.3V(典型值)。ENA 引脚可用于禁用该器件,将电源电流典型值降低至 15µA。当 ENA 引脚悬空时,内部上拉电流源实现运行。该器件包括内部慢启动电路,此电路可在启动期间减慢输出上升时间,以减少浪涌电流和输出电压过冲。最小输出电压为内部 1.221V 反馈基准。通过过压保护 (OVP) 比较器使输出过压瞬变最小化。激活 OVP 比较器时,关闭高侧 MOSFET,并使其保持关闭,直至输出电压低于期望输出电压的 112.5%。
内部逐周期过流保护限制集成高侧 MOSFET 中的峰值电流。对于连续过流故障情况,该器件将进入断续模式过流限制。热保护防止器件过热。