需要从 VIN 到 PGND 的 X5R、X7R 或类似的输入去耦陶瓷电容器，这些电容器应尽可能靠近 IC。总共需要至少 66µF 的电容，某些应用可能需要大容量电容。TI 建议至少将 1µF 的旁路电容尽可能靠近每个 VIN 引脚，以尽可能减少输入电压纹波。必须将一个 1µF 电容器尽可能靠近器件电路板同一侧的 VIN 引脚 4 和 9，以提供高频旁路，从而减少 VIN 和 SW 引脚上的高频过冲和下冲。输入电容的额定电压必须高于最高输入电压。电容器的纹波电流额定值还必须大于最大 RMS 输入电流。可以使用方程式 26 计算 RMS 输入电流。

该示例设计要求使用额定电压不低于 25V 的陶瓷电容器，从而支持最高输入电压。已选择将两个 22µF，1210，X7R，25V、两个 10µF，0805，X7S，25V 和两个 1µF，0402 或 0603，X7R 25V 电容器并联放置在 IC 的两侧靠近这两个 VIN 引脚和 PGND 引脚的位置。根据电容器制造商的网站，在 12V 的标称输入电压下，总陶瓷输入电容降额至 25µF。额外的 100μF 陶瓷电容和 220μF 铝电解电容器在连接实验室台式电源时也用于旁路长引线。

输入电容值决定了稳压器的输入纹波电压。输入电压纹波可以根据方程式 26 进行计算。当以最接近 50% 的占空比运行时，会出现最大输入纹波。使用标称设计示例值 I_OUT(MAX) = 12A、C_IN = 25μF 和 f_SW = 1000kHz，12V 标称输入的输入电压纹波为 36.7mV，4.5V 最小输入的 RMS 输入纹波电流为 4.9A。