ZHCSSM3 July   2024 TPS546E25

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  D-CAP4 控制
        1. 6.3.1.1 环路补偿
      2. 6.3.2  内部 VCC LDO 以及在 VCC 和 VDRV 引脚上使用外部辅助电源
      3. 6.3.3  输入欠压锁定 (UVLO)
        1. 6.3.3.1 固定 VCC_OK UVLO
        2. 6.3.3.2 固定 VDRV UVLO
        3. 6.3.3.3 可编程 PVIN UVLO
        4. 6.3.3.4 控制 (CNTL)使能
      4. 6.3.4  差分遥感和内部、外部反馈分压器
      5. 6.3.5  设置输出电压和 VORST#
      6. 6.3.6  启动和关断
      7. 6.3.7  动态电压压摆率
      8. 6.3.8  设置开关频率
      9. 6.3.9  开关节点 (SW)
      10. 6.3.10 过流限制和低侧电流检测
      11. 6.3.11 负过流限制
      12. 6.3.12 零交叉检测
      13. 6.3.13 输入过压保护
      14. 6.3.14 输出过压和欠压保护
      15. 6.3.15 过热保护
      16. 6.3.16 遥测
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 强制连续导通模式
      2. 6.4.2 DCM 轻负载运行
      3. 6.4.3 通过 12V 总线为该器件供电
      4. 6.4.4 通过分离轨配置为该器件供电
      5. 6.4.5 引脚配置 (strap) 功能
        1. 6.4.5.1 对 MSEL1 进行编程
        2. 6.4.5.2 对 PMB_ADDR 进行编程
        3. 6.4.5.3 对 MSEL2 进行编程
        4. 6.4.5.4 对 VSEL\FB 进行编程
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 支持的 PMBus 命令
  8. 寄存器映射
    1. 7.1  记录块命令的约定
    2. 7.2  (01h) OPERATION
    3. 7.3  (02h) ON_OFF_CONFIG
    4. 7.4  (03h) CLEAR_FAULTS
    5. 7.5  (04h) PHASE
    6. 7.6  (09h) P2_PLUS_WRITE
    7. 7.7  (0Ah) P2_PLUS_READ
    8. 7.8  (0Eh) PASSKEY
    9. 7.9  (10h) WRITE_PROTECT
    10. 7.10 (15h) STORE_USER_ALL
    11. 7.11 (16h) RESTORE_USER_ALL
    12. 7.12 (19h) CAPABILITY
    13. 7.13 (1Bh) SMBALERT_MASK
    14. 7.14 (20h) VOUT_MODE
    15. 7.15 (21h) VOUT_COMMAND
    16. 7.16 (22h) VOUT_TRIM
    17. 7.17 (24h) VOUT_MAX
    18. 7.18 (25h) VOUT_MARGIN_HIGH
    19. 7.19 (26h) VOUT_MARGIN_LOW
    20. 7.20 (27h) VOUT_TRANSITION_RATE
    21. 7.21 (29h) VOUT_SCALE_LOOP
    22. 7.22 (2Ah) VOUT_SCALE_MONITOR
    23. 7.23 (2Bh) VOUT_MIN
    24. 7.24 (33h) FREQUENCY_SWITCH
    25. 7.25 (35h) VIN_ON
    26. 7.26 (36h) VIN_OFF
    27. 7.27 (39h) IOUT_CAL_OFFSET
    28. 7.28 (40h) VOUT_OV_FAULT_LIMIT
    29. 7.29 (41h) VOUT_OV_FAULT_RESPONSE
    30. 7.30 (42h) VOUT_OV_WARN_LIMIT
    31. 7.31 (43h) VOUT_UV_WARN_LIMIT
    32. 7.32 (44h) VOUT_UV_FAULT_LIMIT
    33. 7.33 (45h) VOUT_UV_FAULT_RESPONSE
    34. 7.34 (46h) IOUT_OC_FAULT_LIMIT
    35. 7.35 (48h) IOUT_OC_LV_FAULT_LIMIT
    36. 7.36 (49h) IOUT_OC_LV_FAULT_RESPONSE
    37. 7.37 (4Ah) IOUT_OC_WARN_LIMIT
    38. 7.38 (4Fh) OT_FAULT_LIMIT
    39. 7.39 (50h) OT_FAULT_RESPONSE
    40. 7.40 (51h) OT_WARN_LIMIT
    41. 7.41 (55h) VIN_OV_FAULT_LIMIT
    42. 7.42 (60h) TON_DELAY
    43. 7.43 (61h) TON_RISE
    44. 7.44 (64h) TOFF_DELAY
    45. 7.45 (65h) TOFF_FALL
    46. 7.46 (78h) STATUS_BYTE
    47. 7.47 (79h) STATUS_WORD
    48. 7.48 (7Ah) STATUS_VOUT
    49. 7.49 (7Bh) STATUS_IOUT
    50. 7.50 (7Ch) STATUS_INPUT
    51. 7.51 (7Dh) STATUS_TEMPERATURE
    52. 7.52 (7Eh) STATUS_CML
    53. 7.53 (7Fh) STATUS_OTHER
    54. 7.54 (80h) STATUS_MFR_SPECIFIC
    55. 7.55 (88h) READ_VIN
    56. 7.56 (8Bh) READ_VOUT
    57. 7.57 (8Ch) READ_IOUT
    58. 7.58 (8Dh) READ_TEMPERATURE_1
    59. 7.59 (98h) PMBUS_REVISION
    60. 7.60 (99h) MFR_ID
    61. 7.61 (9Ah) MFR_MODEL
    62. 7.62 (9Bh) MFR_REVISION
    63. 7.63 (ADh) IC_DEVICE_ID
    64. 7.64 (AEh) IC_DEVICE_REV
    65. 7.65 (D1h) SYS_CFG_USER1
    66. 7.66 (D2h) PMBUS_ADDR
    67. 7.67 (D4h) COMP
    68. 7.68 (D5h) VBOOT_OFFSET_1
    69. 7.69 (D6h) STACK_CONFIG
    70. 7.70 (D8h) PIN_DETECT_OVERRIDE
    71. 7.71 (D9h) NVM_CHECKSUM
    72. 7.72 (DAh) READ_TELEMETRY
    73. 7.73 (79h) STATUS_ALL
    74. 7.74 (DDh) EXT_WRITE_PROTECTION
    75. 7.75 (A4h) IMON_CAL
    76. 7.76 (FCh) FUSION_ID0
    77. 7.77 (FDh) FUSION_ID1
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 应用
      2. 8.2.2 设计要求
      3. 8.2.3 详细设计过程
        1. 8.2.3.1 输入电容器选型
        2. 8.2.3.2 电感器选型
        3. 8.2.3.3 输出电容器选型
        4. 8.2.3.4 补偿选择
        5. 8.2.3.5 VCC 和 VRDV 旁路电容器
        6. 8.2.3.6 启动电容器选型
        7. 8.2.3.7 VOSNS 和 GOSNS 电容器选型
        8. 8.2.3.8 PMBus 地址电阻器选型
      4. 8.2.4 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
        1. 8.4.2.1 TPS546E25EVM 上的热性能
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

补偿选择

器件的内部补偿涵盖各种应用。有些设置会自动调整,例如误差放大器的零点频率,这通过频率选择进行调整。其他设置取决于 MSEL2 的引脚配置选择或通过 PMBus 进行设置。

FB_ZERO_TAU 是误差放大器零点设置的设置:

方程式 17. Fz = (10^6) / (2pi × FB_ZERO_TAU)

RAMP 会设置内部环路 RAMP 幅度。有关通过引脚配置和 PMBus 提供的 RAMP 设置的完整说明,请参阅“对 MSEL2 和 COMP 进行编程”。从 120mV 设置开始。这种选择必须在抖动和瞬态响应之间进行权衡。较大的 RAMP 可以改善抖动,但会降低相位裕度,从而需要前馈电容器(通过上限电压设置分压电阻器)。

使用内部分压器设置输出电压时,使用 GAIN 来确保反馈环路具有足够的环路增益,以提供稳定性和良好的负载瞬态性能。根据 VOUT_SCALE_LOOP 参数设置选择 GAIN 设置。

增益 VOSL
3 0.125
10 0.25
15 0.5
30 1

对于具有外部电压设置电阻器的转换器,从上面 C 中的 GAIN 设置开始,然后除以电压设置电阻器比率。

方程式 18. GAIN_External_R = GAIN_From_C_above / (R_BOT / (R_TOP+R_BOT))

该器件使用 D-CAP4 控制来实现快速负载瞬态响应,同时保持易用性。D-CAP4 控制架构包括一个内部纹波生成网络,支持使用极低 ESR 输出电容器,例如多层陶瓷电容器 (MLCC) 和低 ESR 聚合物电容器。使用 D-CAP4 控制架构时无需外部电流检测网络或电压补偿器。

内部纹波生成网络的作用是仿真电感器电流信息的纹波分量,然后将其与电压反馈信号相结合以调节环路运行。D-CAP4 控制架构降低了 VOUT 上的环路增益变化,从而通过一个斜坡设置在整个输出电压范围内实现快速负载瞬态响应。与其他基于 R-C 的内部斜坡生成架构类似,内部斜坡电路的 R-C 时间常数设置斜坡的零点频率。环路增益变化减小还降低了对前馈电容器的需求,从而优化瞬态响应。斜坡幅度随 VIN 而变化,以更大限度地减小输入电压范围内的环路增益变化(通常称为输入电压前馈)。

该器件利用内部电路来校正由注入的斜坡引起的直流偏移量,并显著降低由输出纹波电压引起的直流偏移量,尤其是在轻负载电流条件下。对于任何不支持外部补偿的控制拓扑,输出滤波器的最小值范围和/或最大值范围适用。用于典型降压转换器的输出滤波器是低通 L-C 电路。此 L-C 滤波器具有双极点。在低频率下,整体环路增益是由输出设定点电阻分压器网络和器件的内部增益设定的。低频 L-C 双极点具有 180 度同相压降。在输出滤波器频率下,增益以每十倍频程 –40dB 的速率滚降,且相位快速下降。内部纹波生成网络引入了高频零点,可将增益滚降从每十倍频 –40dB 降低到 –20dB,并在零点频率以上每十倍频程将相位增加 90 度。

为输出滤波器选择的电感器和电容器必须确保双极点不高于稳定状态工作频率的 1/30。

必须同时考虑补偿和输出滤波器。选择非常小的输出电容会产生高频的 L-C 双极点,从而导致整个环路增益保持高电平,直至达到 L-C 双倍频率。由于内部纹波生成网络的零点频率也相对较高,因此输出电容非常小的环路可能具有过高的交叉频率,而这可能导致不稳定。

通常,在需要合理(或更小)输出电容的情况下,可以使用输出纹波要求和负载瞬态要求来确定稳定运行所需的输出电容。为满足最大输出电容建议,在选择电感值和电容值时,需确保 L-C 双极点频率不小于工作频率的 1/100。以此为起点,使用以下标准验证电路板上的小信号响应:环路交叉频率下的相位裕度大于 50 度。只要相位裕度大于 50 度,实际最大输出电容便可增大。但是,必须进行小信号测量(波特图)来确认设计。

如果使用 MLCC,请考虑降额特性来确定设计的最终输出电容。例如,当使用规格为 10µF、X5R 和 6.3V 的 MLCC 时,直流偏置和交流偏置的降额分别为 80% 和 50%。实际降额是这两个系数(在本例中为 40% 和 4µF)的乘积。如需了解要在应用中使用的电容器的具体特性,请咨询电容器制造商。

对于 L-C 双极点接近工作频率 1/100 的较大输出滤波器,可能需要额外的相位提升。与 RFB_HS 并联的前馈电容器可以提升相位。请参阅“采用前馈电容器优化内部补偿直流/直流转换器的瞬态响应”应用报告以了解详细信息。除了提升相位外,前馈电容器通过交流耦合将更多的 VOUT 节点信息馈入 FB 节点。负载瞬态事件期间的这种前馈使控制环路能够更快地响应 VOUT 偏差。但是,稳态运行期间的这种前馈也会将更多的 VOUT 纹波和噪声馈入 FB。FB 上的高纹波和噪声通常会导致更多抖动,甚至双脉冲行为。在确定最终的前馈电容值时,必须考虑对相位裕度、负载瞬态性能和纹波以及 FB 噪声的影响。