ZHCSSM3 July 2024 TPS546E25
ADVANCE INFORMATION
| CMD 地址 | 45h |
| 写入事务： | 写入字节 |
| 读取事务： | 读取字节 |
| 格式： | 无符号二进制（1 字节） |
| NVM 备份： | EEPROM |
| 更新： | 动态 |
VOUT_UV_FAULT_RESPONSE 命令指示器件执行何种操作来响应输出欠压故障。故障限制编程到 VOUT_UV_FAULT_LIMIT 中。此外，该器件还：
返回到支持的 PMBus 命令。
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| RW | R | R/W | R/W | R/W | R | R/W | R/W |
| 0 | IGNRZ_UV | RS_UV | TD_UV | ||||
| 说明：R/W = 读取/写入；R = 只读 |
| 位 | 字段 | 访问 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 7 | 0 | R | 0b | 未使用，始终设置为 0。向该位写入 1 将导致 NACk 和 ivd。 |
| 6 | IGNRZ_UV | RW | 1b | 输出欠压响应设置 0b：器件不间断地继续运行（即忽略故障）（请注意，位[6] IGNRZ_UV 低电平有效，当 IGNRZ_OV=0 时，故障被忽略）。 1b：器件在 TD_UV 指定的延迟时间内继续运行。如果在延迟时间结束时故障条件仍然存在，则单元会按照重试设置中的编程方式进行响应。 请注意，如果在 IGNRZ_UV 设置为忽略故障 (0b) 时发生 UV 故障，未通过 CLEAR_FAULTS 清除故障状态，并且 IGNRZ_UV 更改为 1b，则该器件将响应 RS_UV 和 TD_UV 中编程的先前故障。 |
| 5:3 | RS_UV | RW | NVM | 输出电压欠压重试设置。 000b：故障后锁存。器件保持禁用状态，直到故障清除为止。VCC 下电上电或 EN 切换可以重新启动电源转换。 111b：在 52ms 延迟后自动重启，不限制重启尝试次数，直到命令其关闭或移除辅助电源，或其他故障条件导致单元关闭。 将不接受 000b 或 111b 以外的任何值，此类尝试应视为无效数据或不受支持的数据 (ivd)，器件将按照 ivd 中所述进行响应。由于所有 3 位必须相同，EEPROM 中只存储一位（位 5）。 |
| 2:0 | TD_UV | R | 000b | 输出欠压重试响应延时时间设置。断续时间始终为 52ms，但可以通过在位 [1:0] 中进行以下设置来延迟响应时间。如果在延迟计数器到期之前故障条件消失，则延迟计数器复位为 0 并且不会禁用输出。位 2 是只读的，始终为 0。向位 2 写入 1 将被忽略。 000b：2us 001b：16us 010b：64us 011b：256us |