ZHCSSM3 July   2024 TPS546E25

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  D-CAP4 控制
        1. 6.3.1.1 环路补偿
      2. 6.3.2  内部 VCC LDO 以及在 VCC 和 VDRV 引脚上使用外部辅助电源
      3. 6.3.3  输入欠压锁定 (UVLO)
        1. 6.3.3.1 固定 VCC_OK UVLO
        2. 6.3.3.2 固定 VDRV UVLO
        3. 6.3.3.3 可编程 PVIN UVLO
        4. 6.3.3.4 控制 (CNTL)使能
      4. 6.3.4  差分遥感和内部、外部反馈分压器
      5. 6.3.5  设置输出电压和 VORST#
      6. 6.3.6  启动和关断
      7. 6.3.7  动态电压压摆率
      8. 6.3.8  设置开关频率
      9. 6.3.9  开关节点 (SW)
      10. 6.3.10 过流限制和低侧电流检测
      11. 6.3.11 负过流限制
      12. 6.3.12 零交叉检测
      13. 6.3.13 输入过压保护
      14. 6.3.14 输出过压和欠压保护
      15. 6.3.15 过热保护
      16. 6.3.16 遥测
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 强制连续导通模式
      2. 6.4.2 DCM 轻负载运行
      3. 6.4.3 通过 12V 总线为该器件供电
      4. 6.4.4 通过分离轨配置为该器件供电
      5. 6.4.5 引脚配置 (strap) 功能
        1. 6.4.5.1 对 MSEL1 进行编程
        2. 6.4.5.2 对 PMB_ADDR 进行编程
        3. 6.4.5.3 对 MSEL2 进行编程
        4. 6.4.5.4 对 VSEL\FB 进行编程
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 支持的 PMBus 命令
  8. 寄存器映射
    1. 7.1  记录块命令的约定
    2. 7.2  (01h) OPERATION
    3. 7.3  (02h) ON_OFF_CONFIG
    4. 7.4  (03h) CLEAR_FAULTS
    5. 7.5  (04h) PHASE
    6. 7.6  (09h) P2_PLUS_WRITE
    7. 7.7  (0Ah) P2_PLUS_READ
    8. 7.8  (0Eh) PASSKEY
    9. 7.9  (10h) WRITE_PROTECT
    10. 7.10 (15h) STORE_USER_ALL
    11. 7.11 (16h) RESTORE_USER_ALL
    12. 7.12 (19h) CAPABILITY
    13. 7.13 (1Bh) SMBALERT_MASK
    14. 7.14 (20h) VOUT_MODE
    15. 7.15 (21h) VOUT_COMMAND
    16. 7.16 (22h) VOUT_TRIM
    17. 7.17 (24h) VOUT_MAX
    18. 7.18 (25h) VOUT_MARGIN_HIGH
    19. 7.19 (26h) VOUT_MARGIN_LOW
    20. 7.20 (27h) VOUT_TRANSITION_RATE
    21. 7.21 (29h) VOUT_SCALE_LOOP
    22. 7.22 (2Ah) VOUT_SCALE_MONITOR
    23. 7.23 (2Bh) VOUT_MIN
    24. 7.24 (33h) FREQUENCY_SWITCH
    25. 7.25 (35h) VIN_ON
    26. 7.26 (36h) VIN_OFF
    27. 7.27 (39h) IOUT_CAL_OFFSET
    28. 7.28 (40h) VOUT_OV_FAULT_LIMIT
    29. 7.29 (41h) VOUT_OV_FAULT_RESPONSE
    30. 7.30 (42h) VOUT_OV_WARN_LIMIT
    31. 7.31 (43h) VOUT_UV_WARN_LIMIT
    32. 7.32 (44h) VOUT_UV_FAULT_LIMIT
    33. 7.33 (45h) VOUT_UV_FAULT_RESPONSE
    34. 7.34 (46h) IOUT_OC_FAULT_LIMIT
    35. 7.35 (48h) IOUT_OC_LV_FAULT_LIMIT
    36. 7.36 (49h) IOUT_OC_LV_FAULT_RESPONSE
    37. 7.37 (4Ah) IOUT_OC_WARN_LIMIT
    38. 7.38 (4Fh) OT_FAULT_LIMIT
    39. 7.39 (50h) OT_FAULT_RESPONSE
    40. 7.40 (51h) OT_WARN_LIMIT
    41. 7.41 (55h) VIN_OV_FAULT_LIMIT
    42. 7.42 (60h) TON_DELAY
    43. 7.43 (61h) TON_RISE
    44. 7.44 (64h) TOFF_DELAY
    45. 7.45 (65h) TOFF_FALL
    46. 7.46 (78h) STATUS_BYTE
    47. 7.47 (79h) STATUS_WORD
    48. 7.48 (7Ah) STATUS_VOUT
    49. 7.49 (7Bh) STATUS_IOUT
    50. 7.50 (7Ch) STATUS_INPUT
    51. 7.51 (7Dh) STATUS_TEMPERATURE
    52. 7.52 (7Eh) STATUS_CML
    53. 7.53 (7Fh) STATUS_OTHER
    54. 7.54 (80h) STATUS_MFR_SPECIFIC
    55. 7.55 (88h) READ_VIN
    56. 7.56 (8Bh) READ_VOUT
    57. 7.57 (8Ch) READ_IOUT
    58. 7.58 (8Dh) READ_TEMPERATURE_1
    59. 7.59 (98h) PMBUS_REVISION
    60. 7.60 (99h) MFR_ID
    61. 7.61 (9Ah) MFR_MODEL
    62. 7.62 (9Bh) MFR_REVISION
    63. 7.63 (ADh) IC_DEVICE_ID
    64. 7.64 (AEh) IC_DEVICE_REV
    65. 7.65 (D1h) SYS_CFG_USER1
    66. 7.66 (D2h) PMBUS_ADDR
    67. 7.67 (D4h) COMP
    68. 7.68 (D5h) VBOOT_OFFSET_1
    69. 7.69 (D6h) STACK_CONFIG
    70. 7.70 (D8h) PIN_DETECT_OVERRIDE
    71. 7.71 (D9h) NVM_CHECKSUM
    72. 7.72 (DAh) READ_TELEMETRY
    73. 7.73 (79h) STATUS_ALL
    74. 7.74 (DDh) EXT_WRITE_PROTECTION
    75. 7.75 (A4h) IMON_CAL
    76. 7.76 (FCh) FUSION_ID0
    77. 7.77 (FDh) FUSION_ID1
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 应用
      2. 8.2.2 设计要求
      3. 8.2.3 详细设计过程
        1. 8.2.3.1 输入电容器选型
        2. 8.2.3.2 电感器选型
        3. 8.2.3.3 输出电容器选型
        4. 8.2.3.4 补偿选择
        5. 8.2.3.5 VCC 和 VRDV 旁路电容器
        6. 8.2.3.6 启动电容器选型
        7. 8.2.3.7 VOSNS 和 GOSNS 电容器选型
        8. 8.2.3.8 PMBus 地址电阻器选型
      4. 8.2.4 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
        1. 8.4.2.1 TPS546E25EVM 上的热性能
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

D-CAP4 控制

该器件使用 D-CAP4 控制来实现快速负载瞬态响应,同时保持易用性。D-CAP4 控制架构包括一个内部纹波生成网络,支持使用极低 ESR 输出电容器,例如多层陶瓷电容器 (MLCC) 和低 ESR 聚合物电容器。使用 D-CAP4 控制架构时无需外部电流检测、纹波注入或电压补偿网络。内部纹波生成网络的作用是仿真电感器电流信息的纹波分量,然后将其与电压反馈信号相结合以调节环路运行状态,从而允许使用超低 ESR 聚合物和多层陶瓷电容器 (MLCC)。

D-CAP4 控制架构降低了 VOUT 上的环路增益变化,从而通过一个斜坡设置在整个输出电压范围内实现快速负载瞬态响应。与早期的 D-CAP2 和 D-CAP3 架构不同,D-CAP4 在每个开关周期使用固定的斜坡幅度和正向 GAIN 路径来改善瞬态响应和脉冲频率抖动,而误差积分器提供高直流设定点精度。

每个开关周期的斜坡幅度

方程式 1. Vramp×NphaseGAIN×1-VoutVin

由于引脚可编程斜坡和 GAIN 选项数量有限,并且控制环路性能依赖于输出电感,因此 TI 建议在使用引脚编程补偿的设计中,应在选择电感时考虑可用的环路选项,以及在选择电容器时补偿选项支持的最小和最大电容。

当使用通过 (D4h) COMP 编程的 PMBus 补偿时,可用斜坡电压和 GAIN 选项的范围和分辨率通常足够宽,以便设计可以遵循更传统的设计流程。在该流程中,根据开关频率和纹波电流选择电感器,然后选择电容器以满足纹波和瞬态要求,最后选择斜坡和 GAIN 以确保电感器和电容器的稳定性。但是,许多设计人员可以按照第一个补偿设计流程来更轻松地缩小电感器的选择范围,然后在选择电感器后选择更优化的斜坡/GAIN 选项。

补偿第一个设计过程

评估最大电感器值,该值可与每个补偿选项一起使用,同时仍满足应用瞬态要求。要执行此操作,请计算满足应用瞬态要求所需的最大动态输出阻抗。

方程式 2. Zoutdynamic<IOUTtransientVOUTtramsoemt

对于六个引脚可编程 Vramp / GAIN 选项中的每一个,计算可与该斜坡一起使用以实现所需输出阻抗的最大电感

方程式 3. Lmax=Zoutdynamic×Vsense×GAIN Fsw×Vramp

使用最大电感值,针对每个可用的 Vramp / GAIN 补偿选项估算峰峰值电感器纹波电流,并选择一个纹波电流峰峰值介于预期满负载电流的 10% 至 40% 之间的电感器。

方程式 4. ILpk-pk= VIN-VOUT×VOUTVIN×L×Fsw

选择接近最大电感且满足动态阻抗要求的电感器,可大大减少过度设计并减少保持稳定性所需的最小电容量,而选择更小的电感器可减少满足大信号过冲要求所需的电容量,特别是在低输入电压时。

选择了电感器后,通过排列最大电感公式,计算闭环中波段动态输出阻抗

方程式 5. Zoutdynamic=Lmax×Vramp×FswVsense×GAIN

注: 使用内部反馈分压器时,Vsense 是 VOSNS 引脚上的输出电压。使用外部反馈分压器时,Vsense 是 VSEL/FB 引脚上的基准电压。

估算线性瞬态性能

方程式 6. VOUTTransient=ZOUTDynamic×IOUTTransient

实现稳定性的最小电容为

方程式 7. COUTmin=2π×ZOUTDynamic×Fsw

满足大信号过冲的最小电容为

方程式 8. COUTmin=IOUTTransient2×LVOUT×VOUTTransient

建议的最大电容使 L-C 谐振频率不小于 ½ 积分器零点频率,可通过以下公式估算:

方程式 9. FRes>12×12×π×INT_TIME×GAIN