ZHCSSM3 July 2024 TPS546E25
ADVANCE INFORMATION
| CMD 地址 | 25h |
| 写入事务： | 写入字 |
| 读取事务： | 读取字 |
| 格式： | ULINEAR16，是否相对根据 VOUT_MODE 而定 |
| 相控： | 否 |
| NVM 备份： | EEPROM |
| 更新： | 动态 |
VOUT_MARGIN_HIGH 命令在 OPERATION 命令设置为“高裕度”时将输出要更改到的电压加载到单元中。由于在 (20h) VOUT_MODE 寄存器 – 位 [7] 中将 Vout 格式设置为相对，因此命令中的 Vout 将增加此命令中所示的乘法系数。此命令还使用由 (20h) VOUT_MODE 指定的 LSB。裕度运算期间的输出电压转换以 VOUT_TRANSITION_RATE 定义的压摆率发生。
当 OPERATION 命令中的 MARGIN 位指示“高裕度”时，输出电压将更新为 VOUT_MARGIN_HIGH + VOUT_TRIM 的值。
返回到支持的 PMBus 命令。
| 15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 |
| R | W | W | W | W | RW | RW | RW |
| VOUT_MARGIN_HIGH（高字节） | |||||||
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| RW | RW | RW | RW | RW | RW | RW | RW |
| VOUT_MARGIN_HIGH（低字节） | |||||||
| 说明：R/W = 读取/写入；R = 只读 |
| 位 | 字段 | 访问 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15:11 | 保留 | R | 0b | |
| 10:0 | VOUT_MARGIN_HIGH | RW | NVM | 高裕度输出电压。ULINEAR16，是否相对根据 VOUT_MODE 的设置而定 |
为了优化此命令所需的 EEPROM 位的数量，上面寄存器中的位没有直接备份，而是与名为 MRGN_HI_DFLT 的 NVM 备份位相关，在 EEPROM 恢复期间按如下方式使用：
| MARGIN_HI_DFLT | VOUT_MARGIN_HIGH[10:0] | 裕度 % |
|---|---|---|
| 0b | 528d | 3.125 |
| 1b | 536d | 4.6875 |
此命令的效果由 VOUT_MODE 命令的设置决定。下表还显示了如何确定 NVM 存储的 MRGN_HI_DFLT。
| VOUT_MARGIN_HIGH[10:0] | 裕度 % | MRGN_HI_DFLT | |
|---|---|---|---|
| 大于或等于（十进制） | 小于（十进制） | ||
| 524 | 1.5625 | 0 | |
| 524 | 532 | 3.125 | |
| 532 | 540 | 4.6875 | 1 |
| 540 | 548 | 6.25 | |
| 548 | 556 | 7.8125 | |
| 556 | 564 | 9.375 | |
| 564 | 572 | 10.9375 | |
| 572 | 2048 | 12.5 | |
VOUT_MARGIN_HIGH 的最小和最大有效数据值遵循 VOUT_COMMAND 中的说明。也就是说，包括 VOUT_MARGIN_HIGH 和 VOUT_TRIM 在内的总组合输出电压遵循当前 VOUT_MAX 设置所允许的值。
尝试向 (25h) VOUT_MARGIN_HIGH 写入指定为有效值之外的任何值将被视为无效/不受支持的数据，并导致器件通过标记相应的状态位并根据 PMBus 1.3.1 第 II 部分规范第 10.9.3 节通知主机来进行响应。