ZHCSSM3 July 2024 TPS546E25
ADVANCE INFORMATION
| CMD 地址 | 26h |
| 写入事务： | 写入字 |
| 读取事务： | 读取字 |
| 格式： | ULINEAR16，是否相对根据 VOUT_MODE 而定 |
| 相控： | 否 |
| NVM 备份： | EEPROM |
VOUT_MARGIN_LOW 命令在 OPERATION 命令设置为“裕量低”时将输出要更改到的电压加载到单元中。由于在 VOUT_MODE 寄存器 – 位 [7] 中将 Vout 格式设置为相对，因此命令中的 Vout 将按此命令中所示的乘法系数递减。此命令还使用由 VOUT_MODE 指定的 LSB。裕度运算期间的输出电压转换以 VOUT_TRANSITION_RATE 定义的压摆率发生。
当 OPERATION 命令中的 MARGIN 位指示“低裕度”时，输出电压将更新为 VOUT_MARGIN_LOW + VOUT_TRIM 的值。
返回到支持的 PMBus 命令。
| 15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 |
| W | W | W | W | W | W | RW | RW |
| VOUT_MARGIN_LOW（高字节） | |||||||
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| RW | RW | RW | RW | RW | RW | RW | RW |
| VOUT_MARGIN_LOW（低字节） | |||||||
| 说明：R/W = 读取/写入；R = 只读 |
| 位 | 字段 | 访问 | 复位 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| 15:10 | 保留 | R | 0b | |
| 9:0 | VOUT_MARGIN_LOW | RW | NVM | 低裕度输出电压。LINEAR16，是否相对根据 VOUT_MODE 的设置而定 |
为了优化此命令所需的 EEPROM 位的数量，上面寄存器中的位没有直接备份，而是与名为 MRGN_LO_DFLT 的 NVM 备份位相关，在 EEPROM 恢复期间按如下方式使用：
| MARGIN_HI_DFLT | VOUT_MARGIN_HIGH[10:0] | 裕度 % |
|---|---|---|
| 0b | 496d | -3.125 |
| 1b | 488d | -4.6875 |
此命令的效果由 VOUT_MODE 命令的设置决定。下表还显示了如何确定 NVM 存储的 MRGN_LO_DFLT。
| VOUT_MARGIN_LOW[9:0] | 裕度 % | MRGN_LO_DFLT | |
|---|---|---|---|
| > (d) | < (d) | ||
| 500 | 1024 | -1.5625 | 0 |
| 492 | 500 | -3.125 | |
| 484 | 492 | -4.6875 | 1 |
| 476 | 484 | -6.25 | |
| 468 | 476 | -7.8125 | |
| 460 | 468 | -9.375 | |
| 452 | 460 | -10.9375 | |
| 452 | -12.5 | ||
VOUT_MARGIN_LOW 的最小和最大有效数据值遵循 VOUT_COMMAND 中的说明。尝试向 (26h) VOUT_MARGIN_LOW 写入指定为有效值之外的任何值将被视为无效/不受支持的数据，并导致器件通过标记相应的状态位并根据 PMBus 1.3.1 第 II 部分规范第 10.9.3 节通知主机来进行响应。