ZHCSSM3 July 2024 TPS546E25
ADVANCE INFORMATION
CMD 地址 | 50h |
写入事务: | 写入字节 |
读取事务: | 读取字节 |
格式: | LINEAR11 |
相控: | 否 |
NVM 备份: | EEPROM |
更新: | 动态 |
(50) OT_FAULT_RESPONSE 命令指示器件执行何种操作来响应过热故障。触发过热故障时,器件会根据此寄存器中的 RS_OT 位进行响应,设置 STATUS_TEMPERATURE 寄存器中的 OTF_PROG 位,并通过 SMB_ALERT# 引脚通知主机。
返回到支持的 PMBus 命令。
7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
R | R | RW | RW | RW | R | R | R |
1 | 0 | RS_OT | TD_OT |
说明:R/W = 读取/写入;R = 只读 |
位 | 字段 | 访问 | 复位 | 说明 |
---|---|---|---|---|
7 | 1 | R | 1b | 过热响应设置。只读,始终设置为 1b。器件会关断并禁用输出,并根据位 RS_OT 中的重试设置进行响应。 |
6 | 0 | R | 0b | 未使用,始终设置为 0b。 |
5:3 | RS_OT | RW | NVM | 过热重试设置。 000b:故障后锁存。器件保持禁用状态,直到故障清除为止。VCC 下电上电或 EN 切换可以重新启动电源转换。 111b:在 52ms 延迟后自动重启,不限制重启尝试次数,直到命令其关闭或移除辅助电源,或其他故障条件导致单元关闭。 将不接受 000b 或 111b 以外的任何值,此类尝试应视为无效数据或不受支持的数据 (ivd),器件将按照 ivd 中所述进行响应。由于所有 3 位必须相同,EEPROM 中只存储一位(位 5)。 |
2:0 | TD_OT | R | 000b | 过热重试延时时间设置。这些位与 RS_OT 设置相同。 000b:该器件不会延迟重启。只有在通过 RS_OT = 000b 禁用重启后,才支持此功能。器件保持禁用状态,直到故障清除为止。VCC 下电上电或 EN 切换可以重新启动电源转换。 111b:在 52ms 延迟后自动重启,不限制重启尝试次数,直到命令其关闭或移除辅助电源,或其他故障条件导致单元关闭。仅在 RS_OT = 111b 时才支持。 |