该器件要求在 VIN 和 PGND 引脚之间使用输入旁路电容器来旁路掉功率级。在布局允许的情况下，旁路电容器必须尽可能靠近 IC 的引脚放置。至少需要 10µF 的陶瓷电容和 1µF 的高频陶瓷旁路电容器。VIN 引脚 21 上需要一个 1μF 16V X6S 0402 陶瓷电容器。VIN 引脚 10 上需要一个 1μF 16V X6S 陶瓷电容器。对于大电流应用，建议在底层使用 1μF 16V X6S 陶瓷电容器。高频旁路电容器可更大限度减小功率级上的高频电压过冲。陶瓷电容器必须采用 X6S 或更高质量的电介质来实现高电容体积比并在工作温度范围内保持稳定特性。除此之外，根据应用的不同，输入端可能需要更大的大容量电容，以便尽可能减小瞬态条件下输入电压的变化。

达到特定输入纹波目标所需的输入电容可通过Equation25 计算得出。建议的目标输入电压纹波为最小输入电压的 5%，在本例中为 400mV。计算得出的输入电容为 10.07µF，最小输入电容 10µF 超过了此值。本例采用 4 x 22µF 陶瓷电容器，满足这两个要求。

Equation25.

此外，电容器的 RMS 电流额定值还必须大于应用中的最大输入 RMS 电流。输入电容器必须支持的输入 RMS 电流根据Equation25 进行计算，在本例中的计算结果为 6.96A。陶瓷输入电容器的额定电流大于此值。

Equation26.

对于需要大容量输入电容的应用，例如具有低输入电压和大电流的应用，建议使用如何选择降压转换器的输入电容器 技术简介中的选择过程。