在开始使用该器件进行设计之前，请注意以下事项：

• 让 VIN、PGND 和 SW 布线尽可能宽，以便降低布线阻抗并改善散热。
• 将功率元件（包括输入和输出电容器、电感器和 IC）放置在 PCB 的顶面。要屏蔽小信号布线并使其与有噪声的电力线隔离，请至少插入一个实心接地内部平面。
• VIN 去耦电容器的放置位置对于功率 MOSFET 的稳健性非常重要。每个 VIN 引脚（引脚 4 和 12）上需要一个 1μF/25V/0402 陶瓷高频旁路电容器，并连接到相邻的 PGND 引脚（分别为引脚 5 和 11）。将剩余的陶瓷输入电容放置在这些高频旁路电容器旁边。剩余的输入电容可以放置在电路板的另一侧，但要使用尽可能多的过孔，以更大限度地减少电容器和 IC 引脚之间的阻抗。
• 在 PGND 引脚下方和附近放置尽可能多的过孔。此操作可以更大限度减小寄生阻抗并降低热阻。
• 在两个 VIN 引脚附近使用过孔，并通过内部层在过孔之间实现低阻抗连接。也可以在每个 VIN 引脚下方放置一个过孔。
• 将 VCC 去耦电容器尽可能靠近器件放置，并通过较短的返回路径连接到 PGND 引脚 5。确保 VCC 去耦环路较小，并使用宽度为 12mil 或更宽的走线进行连接布线。
• 将 BOOT 电容器尽可能靠近 BOOT 和 SW 引脚放置。使用宽度为 12mil 或更宽的布线进行连接。
• 连接 SW 引脚和电感器高压侧的 PCB 布线定义为开关节点。开关节点必须尽可能短且宽。
• 如果使用外部反馈，则无论是单端检测还是遥感，应始终将反馈电阻放置在该器件附近以尽可能缩短 FB 布线长度。
  • 对于遥感，FB 分压电阻与远位置之间的连接必须采用一对差分的 PCB 布线，并必须在 0.1μF 或更高的旁路电容器上实施开尔文检测。遥感信号的接地连接必须连接到 GOS 引脚。遥感信号的 V_OUT 连接必须连接到反馈电阻分压器，并让底部反馈电阻端接在 GOS 引脚上。为了保持稳定的输出电压并更大限度减小纹波，这个遥感线路差分对必须远离任何噪声源（例如电感器和 SW 节点）或高频时钟线路。TI 建议用上下两个接地平面屏蔽这对遥感线路。
  • 对于单端检测，应将 FB 引脚和输出电压之间的顶部反馈电阻连接到 0.1μF 或更高的高频本地输出旁路电容器，并用短布线将 GOS 短接至 AGND。
• 将 AGND 引脚（引脚 19）连接到器件下方的 PGND 引脚（引脚 5 和 11）。
• 避免在应用中将 PG 信号和任何其他噪声信号路由到 VOS/FB 和 GOS 等噪声敏感信号附近，以限制耦合。
• 有关布局建议，请参阅布局示例。