在开始使用该器件进行设计之前，请注意以下事项：

• 为了对高频噪声进行去耦并帮助减少开关节点振铃，应在尽可能靠近 VIN 和 PGND 引脚的位置放置一个 0402 封装 0.01µF 至 0.1µF 的去耦电容器。为了进一步减小输入交流电流环路，必须尽可能靠近该电容器后方的 VIN 和 PGND 引脚放置较大的 VIN 去耦电容器。
• 将功率元件（包括输入和输出电容器、电感器和 IC）放置在 PCB 的焊接面。为了屏蔽小信号布线并使其与有噪声的电源线隔离，请至少插入一个内部平面并接地。
• 所有敏感的模拟布线和元件（例如 FB、PGOOD、TRIP、MODE 和 SS/REFIN）必须远离高压开关节点（例如 SW 和 BOOT）放置，以免发生耦合。应使用内部层作为接地平面，并屏蔽反馈布线以使其与电源布线和功率元件隔离开。
• 将反馈电阻放置在器件附近以尽可能缩短 FB 布线距离。
• 将 OCP 设置电阻 (R_TRIP) 和模式设置电阻 (R_MODE) 靠近器件放置。使用公共 AGND 过孔将这些电阻连接到内部 VCC PGND 平面（如果适用）。
• 将 VCC 去耦电容器尽可能靠近器件放置。如果使用多个去耦电容器，请为每个去耦电容器提供 PGND 过孔，并确保返回路径尽可能短。
• 保持引脚 2 和 11 与电感器之间的开关节点连接尽可能短且宽。
• 使用单独的布线将 SW 节点连接到自举电容器和 RC 缓冲器（如使用），而不是将这些布线合并为一条连接。为实现低电感和更佳性能，应保持 BOOT 和缓冲器路径尽可能短。此外，为了尽可能减小电感，应避免在 RC 缓冲器布线中使用过孔，并使用非常宽的布线。为了提高效率，RC 缓冲器必须连接在较大的 SW 覆铜形状和较大的 PGND 覆铜形状之间，与 TPS54J060 位于 PCB 同一侧。
• 避免在大电流路径中将 AGND 连接到 PCB 接地平面 (PGND)，否则可能导致 IR 和 L*dI/dt 显著下降。