ZHCSPN3A May 2023 – February 2024 TPS54KB20
PRODUCTION DATA
引脚 | 类型(1) | 说明 | |
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编号 | 名称 | ||
2 | AGND | G | 内部控制电路的模拟地回路和基准。 |
5 | BOOT | I/O | 内部高侧 MOSFET 栅极驱动器(升压端子)的电源。从该引脚到 SW 节点之间连接自举电容器。 |
1 | EN | I | 使能引脚。使能引脚可开启或关闭直流/直流开关转换器。在启动前将 EN 引脚悬空会禁用转换器。EN 引脚上施加的最大建议电压为 5.5V。TI 不 建议将 EN 引脚直接连接到 VIN 引脚。 |
14 | FB | I | 输出电压反馈输入。从输出电压到 GOSNS(抽头至 FB 引脚)的电阻分压器可设置输出电压。将 FB 分压器连接到负载附近的输出电压。 |
13 | GOSNS | I | 差分遥感电路的负输入端。连接到负载附近的接地检测点。 |
12 | ILIM | I | 电流限值设置引脚。将一个电阻连接到 AGND 即可设置电流限值跳变点。TI 建议使用容差为 ±1% 的电阻。有关 OCL 设置的详细信息,请参阅节 6.3.10。 |
11 | MSEL | I | 多功能选择引脚。从 MSEL 引脚到 AGND 的电阻器用于选择强制连续导通模式 (FCCM) 或跳跃模式运行、工作频率和 PWM 斜坡设置。要求使用容差为 ±1% 的电阻。详细信息,请参阅表 6-4。 |
10 | PG | O | 开漏电源正常状态信号。将外部上拉电阻器连接到电压源。当 FB 电压超出指定限值时,PG 在指定的延迟后变为低电平。 |
4、8、16 | PGND | G | 功率级接地回路。此引脚在内部连接到低侧 MOSFET 的源极。在 PGND 引脚下方放置尽可能多的过孔,并尽可能靠近 PGND 引脚。此操作可以更大限度减小寄生阻抗并降低热阻。 |
15 | SS | I | 将电容器连接到 AGND 以设置 SS 时间。为避免在软启动电容器充电期间发生过冲,该引脚需要一个最小值为 10nF 的电容器。 |
6 | SW | O | 电源转换器的输出开关端子。将该引脚连接到输出电感器。 |
7 | VCC | P | 内部 3V LDO 输出。可将 3.3V 或 5V 的外部辅助电源连接到该引脚以减少内部 LDO 上的功率损耗。该引脚上的电压源为内部电路和栅极驱动器供电。从 VCC 引脚到 PGND 之间连接一个额定电压 > 6.3V 的 1μF 陶瓷电容器进行旁路。将此电容器尽可能靠近 VCC 和 PGND 引脚放置。 |
3、9 | VIN | P | 功率级 MOSFET 和内部 LDO 的电源输入引脚。应将 VIN 引脚和 PGND 引脚之间的去耦输入电容器尽可能靠近放置。需要靠近 IC 在每个 VIN 和 PGND 之间连接一个电容器。 |