该器件要求在两对 VIN 和 PGND 引脚之间使用输入旁路电容器来旁路掉功率级。在布局允许的情况下，旁路电容器必须尽可能靠近 IC 的引脚放置。至少需要标称值为 20µF 的陶瓷电容和两个高频陶瓷旁路电容器。该器件具有 20µF 的硬性限制。某些应用可能需要更大的电容，甚至需要大容量电容器。降额会影响有效输入电容值。必须尽可能靠近器件电路板同一侧的 VIN 引脚 3 和 9 放置一个 0.1μF 至 1µF 电容器，用于提供所需的高频旁路，从而减少 VIN 至 SW 以及 SW 至 PGND 功率级上的高频过冲和下冲。TI 建议至少将 1µF 的旁路电容尽可能靠近每个 VIN 引脚，从而尽可能减少输入电压纹波。陶瓷电容器必须采用 X6S 或更高质量的电介质来实现高电容体积比，并在工作温度范围内保持稳定特性。除此要求外，根据应用的不同，输入端可能需要更大的大容量电容，以便尽可能减小瞬态条件下输入电压的变化。

达到特定输入纹波目标所需的输入电容可通过方程式 32 计算得出。建议的目标输入电压纹波为最小输入电压的 5%，在本例中为 225mV。计算得出的输入电容为 24.36μF，这满足 20µF 的最小输入电容要求。

此外，电容器的 RMS 电流等级还必须大于应用中的最大输入 RMS 电流。输入电容器必须支持的输入 RMS 电流根据方程式 34 进行计算，在本例中的计算结果为 11.5A。陶瓷输入电容器的电流等级大于此值。

对于需要大容量输入电容的应用，例如具有低输入电压和大电流的应用，TI 建议使用如何选择降压转换器的输入电容器 模拟设计期刊中的选型过程。