ZHCSSP0 February   2024 TPS54KC23

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  内部 VCC LDO 以及在 VCC 引脚上使用外部辅助电源
      2. 6.3.2  使能
      3. 6.3.3  可调软启动
      4. 6.3.4  电源正常
      5. 6.3.5  输出电压设置
      6. 6.3.6  遥感
      7. 6.3.7  D-CAP4 控制
      8. 6.3.8  多功能选择 (MSEL) 引脚
      9. 6.3.9  低侧 MOSFET 过零
      10. 6.3.10 电流检测和正过流保护
      11. 6.3.11 低侧 MOSFET 负电流限值
      12. 6.3.12 过压和欠压保护
      13. 6.3.13 输出电压放电
      14. 6.3.14 UVLO 保护
      15. 6.3.15 热关断保护
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 自动跳跃 Eco-mode 轻负载运行
      2. 6.4.2 强制连续导通模式
      3. 6.4.3 通过单根总线为该器件供电
      4. 6.4.4 通过分离轨配置为该器件供电
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1  输出电压设定点
        2. 7.2.2.2  选择开关频率和工作模式
        3. 7.2.2.3  选择电感器
        4. 7.2.2.4  设置电流限值 (ILIM)
        5. 7.2.2.5  选择输出电容器
        6. 7.2.2.6  RAMP 选择
        7. 7.2.2.7  选择输入电容器 (CIN)
        8. 7.2.2.8  软启动电容器（SS 引脚）
        9. 7.2.2.9  EN 引脚电阻分压器
        10. 7.2.2.10 VCC 旁路电容器
        11. 7.2.2.11 自举电容器
        12. 7.2.2.12 RC 缓冲器
        13. 7.2.2.13 PG 上拉电阻器
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.4 热性能信息

热指标(1) TPS54KC23 单位
RZR（WQFN-FCRLF，JEDEC 布局） RZR（WQFN-FCRLF，4 层应用布局） RZR（WQFN-FCRLF，6 层 EVM 布局）
16 引脚 16 引脚 16 引脚
RθJA 结至环境热阻 36.8 16.5 (2) 13.2 (3) °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 15.3 不适用 (4) 不适用 (4) °C/W
RθJB 结至电路板热阻 7.6 不适用 (4) 不适用 (4) °C/W
ψJT 结至顶部特征参数 0.3 不适用 (4) 不适用 (4) °C/W
ψJB 结至电路板特征参数 7.5 不适用 (4) 不适用 (4) °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 5.1 不适用 (4) 不适用 (4) °C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标 应用报告。
(2) 在 4 层、2oz 覆铜、3 英寸 × 3 英寸布局上测得，器件不进行开关且器件中耗散的功率为 1.9W。
(3) 在 EVM 上的 U2 器件上测量，器件不进行开关且器件中耗散的功率为 1.8W。
(4) 热测试或仿真设置不适用于应用布局。
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