ZHCSVK5 August   2024 TPS55287-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 I2C 时序特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  VCC 电源
      2. 6.3.2  EXTVCC 电源
      3. 6.3.3  I2C 地址选择
      4. 6.3.4  输入欠压锁定
      5. 6.3.5  使能和可编程 UVLO
      6. 6.3.6  软启动
      7. 6.3.7  关断和负载放电
      8. 6.3.8  开关频率
      9. 6.3.9  开关频率抖动
      10. 6.3.10 电感器电流限制
      11. 6.3.11 内部充电路径
      12. 6.3.12 输出电压设置
      13. 6.3.13 输出电流监控及电缆压降补偿
      14. 6.3.14 输出电流限制
      15. 6.3.15 过压保护
      16. 6.3.16 输出短路保护
      17. 6.3.17 热关断
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 PWM 模式
      2. 6.4.2 节能模式
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 数据有效性
      2. 6.5.2 START 和 STOP 条件
      3. 6.5.3 字节格式
      4. 6.5.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
      5. 6.5.5 目标地址和数据方向位
      6. 6.5.6 单独读取和写入
      7. 6.5.7 多重读取和多重写入
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1 REF 寄存器（地址 = 0h、1h）[复位 = 10100100b、00000001b]
    2. 7.2 IOUT_LIMIT 寄存器（地址 = 2h）[复位 = 11100100b]
    3. 7.3 VOUT_SR 寄存器（地址 = 3h）[复位 = 00000001b]
    4. 7.4 VOUT_FS 寄存器（地址 = 4h）[复位 = 00000011b]
    5. 7.5 CDC 寄存器（地址 = 5h）[复位 = 11100000b]
    6. 7.6 MODE 寄存器（地址 = 6h）[复位 = 00100000b]
    7. 7.7 STATUS 寄存器（地址 = 7h）[复位 = 00000011b]
    8. 7.8 寄存器汇总
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 开关频率
        2. 8.2.2.2 输出电压设置
        3. 8.2.2.3 电感器选型
        4. 8.2.2.4 输入电容器
        5. 8.2.2.5 输出电容器
        6. 8.2.2.6 输出电流限制
        7. 8.2.2.7 环路稳定性
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方米6体育平台手机版_好二三四免责声明
      2. 9.1.2 开发支持
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RYQ|21
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.3.11 内部充电路径

两个高侧 MOSFET 驱动器中的每一个都从其浮动自举电容器进行偏置，该电容器通常在低侧 MOSFET 导通时通过外部和内部自举二极管由 VCC 重新充电。当 TPS55287-Q1 仅在降压或升压区域运行时，其中一个高侧 MOSFET 会持续导通。从 VOUT 和 BOOT2 到 BOOT1，或从 VIN 和 BOOT1 到 BOOT2 的内部充电路径会将自举电容器充电至 VCC，使高侧 MOSFET 保持导通状态。
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