对于所有开关电源，尤其是以高开关频率和高电流运行的开关电源，布局设计是一个重要的设计步骤。如果未仔细布局，稳压器可能会出现不稳定和噪声问题。

1. 将 0.1μF 小型封装 (0402) 陶瓷电容器放置在 VIN/VOUT 引脚附近，可更大限度地减少高频电流环路，从而改善高频噪声 (EMI) 辐射，提升效率。
2. 在 PGND 引脚附近使用多个 GND 过孔将 PGND 连接到内部接地层，也可提高热性能。
3. 应尽量减小 SW1 和 SW2 环路区域，因为它们是高 dv/dt 节点。在开关稳压器下方使用接地层，可更大限度地减少层间耦合。
4. 电流检测信号 ISP 和 ISN 与 RSENSE 之间采用开尔文连接，从 RSENSE 端子到 IC 引脚之间平行布线。将电流检测信号的滤波电容器尽可能靠近 IC 引脚放置。
5. 将 BOOT1 自举电容器靠近 IC 放置，并直接连接到 BOOT1 与 SW1 引脚。将 BOOT2 自举电容器靠近 IC 放置，并直接连接到 BOOT2 与 SW2 引脚。
6. 将 VCC 电容器靠近 IC 放置，使用宽而短的迹线。VCC 电容器的 GND 端子通过三到四个过孔直接连接到 PGND 平面。
7. 将电源接地与模拟接地隔离。PGND 平面和 AGND 平面在 VCC 电容器的端子上连接。因此，由 MOSFET 驱动器和寄生电感引起的噪声不会影响到 AGND 和内部控制电路。
8. 补偿元件应尽量靠近 COMP 引脚放置。将补偿元件、反馈元件和其他敏感模拟电路远离电源元件、开关节点 SW1 和 SW2 以及高电流布线，防止噪声耦合到模拟信号中。
9. 为了提高热性能，建议在 TPS552892 下方使用散热过孔，将 VIN 引脚连接到较大的 VIN 区域，将 VOUT 引脚连接到较大的 VOUT 区域。