ZHCSRE2A december 2022 – april 2023 TPS552892
PRODUCTION DATA
两个高侧 MOSFET 驱动器中的每一个都从其浮动自举电容器进行偏置，该电容器通常在低侧 MOSFET 导通时通过外部和内部自举二极管由 VCC 重新充电。当 TPS552892 仅在降压或升压区域运行时，其中一个高侧 MOSFET 会持续导通。从 VOUT 和 BOOT2 到 BOOT1，或从 VIN 和 BOOT1 到 BOOT2 的内部充电路径会将自举电容器充电至 VCC，使高侧 MOSFET 保持导通状态。