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ZHCSSO0A January 2024 – June 2024 TPS56837H

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

RPA|10
- MPQF515

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

5.5 电气特性

除非另外注明，否则本部分规定的电气额定值适用于本文档的所有规格。这些规格可解释为在该米6体育平台手机版_好二三四的使用寿命范围内，不会导致器件参数或功能规格下降的各项条件。典型值对应于 T_J = 25°C，V_IN = 24V。最小值和最大值限值基于 T_J =–40°C 至 +150°C，V_IN = 4.5V 至 28V（除非另有说明）。

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
电源电流
I_Q	工作静态电流 ⁽¹⁾	T_J = 25°C，V_EN = 5V， V_FB = 0.65V，非开关		45		µA
I_SHDNN	关断电源电流	T_J= 25°C，V_EN= 0V		3		µA
UVLO
UVLO	V_IN 欠压锁定	唤醒 V_IN 电压	4.0	4.2	4.4	V
		关断 V_IN 电压	3.5	3.65	3.8	V
		迟滞 V_IN 电压		550		mV
使能（EN 引脚）
I_{EN_PULLUP}	EN 上拉电流	V_EN = 1.1V		1		µA
I_{EN_HYS}	迟滞电流	V_EN = 1.3V		3		µA
V_{EN_ON}	启用阈值	EN 上升		1.18	1.26	V
V_{EN_OFF}	启用阈值	EN 下降	1	1.07		V
反馈电压
V_FB	反馈电压	V_OUT = 5V，连续模式运行，T_J = 25°C	0.594	0.6	0.606	V
V_FB	反馈电压	V_OUT = 5V，连续模式运行，T_J = –40°C 至 150°C	0.591	0.6	0.609	V
MOSFET
R_{dson_HS}	高侧 MOSFET 导通电阻	T_J = 25°C，V_BST - V_SW = 5V		20.4		mΩ
R_{dson_LS}	低侧 MOSFET 导通电阻	T_J = 25°C		9.5		mΩ
电流限制
I_{LS_OCL}	低侧 MOSFET 谷值电流限制	ILIM-1 选项	6	7.2	8.5	A
		ILIM 选项	8	9.6	11.1
		ILIM+1 选项	10	12	13.8
I_{HS_OCL}	高侧 MOSFET 峰值电流限制		12.75	15	17.25	A
I_NOCL	低侧 MOSFET 负电流限制		2.5			A
占空比和频率控制
F_SW	开关频率	V_IN = 24V，V_OUT = 5V，连续模式运行		500		kHz
t_ON(MIN)	最短导通时间⁽²⁾			50		ns
t_OFF(MIN)	最短关断时间⁽²⁾			200		ns
软启动
I_SS	软启动充电电流			6		μA
电源正常
V_PGTH	PG 阈值下限 - 下降	V_FB 的百分比		85%
	PG 下限阈值 - 上升	V_FB 的百分比		90%
	PG 上限阈值 - 下降	V_FB 的百分比		110%
	PG 上限阈值 - 上升	V_FB 的百分比		115%
I_PGSINK	PG 灌电流	V_FB = 0.5V，V_PG = 0.4V	10			mA
t_{PG_DLY}	PG 延迟	PG 从低电平到高电平		64		us
t_{PG_DLY}	PG 延迟	PG 从高电平到低电平		32		us
V_OVP	输出 OVP 阈值	OVP 检测		125%
t_{OVP_DEG}	OVP 传播抗尖峰脉冲	T_J = 25°C		32		us
V_UVP	输出 UVP 阈值	断续检测		65%
t_{UVP_WAIT}	UV 保护断续等待时间			256		us
t_{UVP_HICCUP}	恢复前的 UV 保护断续时间			10.5 × t_ss		s
热关断
热关断阈值⁽³⁾		温度上升	150	165		°C
热关断阈值⁽³⁾		迟滞		30		°C
SW 放电电阻
V_OUT 放电电阻（仅适用于 TPS56837H）		V_EN = 0，V_SW = 0.5V，T_J = 25°C		200		Ω

(1) 并不代表稳压时系统的总输入电流。根据设计和特性测试确定。

(2) 未经生产测试。根据设计确定。

(3) 未经生产测试。根据设计和工程样品相关性确定。