ZHCSMS0K October 2002 – July 2022 TPS61040 , TPS61041
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电源电流 | ||||||
| VIN | 输入电压范围 | 1.8 | 6 | V | ||
| IQ | 工作静态电流 | IOUT = 0mA，不切换，VFB = 1.3V | 28 | 50 | μA | |
| ISD | 关断电流 | EN = GND | 0.1 | 1 | μA | |
| VUVLO | 欠压闭锁阈值 | 1.5 | 1.7 | V | ||
| 使能 | ||||||
| VIH | 高电平输入电压 | 1.3 | V | |||
| VIL | 低电平输入电压 | 0.4 | V | |||
| II | EN 输入漏电流 | EN = GND 或 VIN | 0.1 | 1 | μA | |
| 电源开关和电流限制 | ||||||
| Vsw | 最大开关电压 | 30 | V | |||
| toff | 最短关断时间 | 250 | 400 | 550 | ns | |
| ton | 最大导通时间 | 4 | 6 | 7.5 | μs | |
| RDS(on) | MOSFET 导通电阻 | VIN = 2.4V；ISW = 200mA；TPS61040 | 600 | 1000 | mΩ | |
| RDS(on) | MOSFET 导通电阻 | VIN = 2.4V；ISW = 200mA；TPS61041 | 750 | 1250 | mΩ | |
| MOSFET 漏电流 | VSW = 28V | 1 | 10 | μA | ||
| ILIM | MOSFET 电流限值 | TPS61040 | 350 | 400 | 450 | mA |
| ILIM | MOSFET 电流限值 | TPS61041 | 215 | 250 | 285 | mA |
| 输出 | ||||||
| VOUT | 可调输出电压范围 | VIN | 28 | V | ||
| Vref | 内部电压基准 | 1.233 | V | |||
| IFB | 反馈输入偏置电流 | VFB = 1.3V | 1 | μA | ||
| VFB | 反馈跳闸点电压 | 1.8V ≤ VIN ≤ 6V | 1.208 | 1.233 | 1.258 | V |
| 线路调节(1) | 1.8V ≤ VIN ≤ 6V；VOUT = 18V；Iload = 10mA；CFF = 未连接 | 0.05 | %/V | |||
| 负载调节(1) | VIN = 2.4V；VOUT = 18V；0mA ≤ IOUT ≤ 30mA | 0.15 | %/mA | |||