ZHCSQH4 October 2024 TPS62810-EP , TPS62811-EP , TPS62812-EP , TPS62813-EP
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 电源 | |||||||
| IQ | 工作静态电流 | EN = 高电平，IOUT = 0mA，器件未开关， TJ= 125°C |
21 | µA | |||
| IQ | 工作静态电流 | EN = 高电平，IOUT = 0mA，器件未开关 | 15 | 30 | µA | ||
| ISD | 关断电流 | EN = 0V，TJ = 125°C | 18 | µA | |||
| ISD | 关断电流 | EN = 0V，TJ = 25°C 时的标称值， TJ = 150°C 时的最大值 |
1.5 | 26 | µA | ||
| VUVLO | 欠压锁定阈值 | 输入电压上升 | 2.5 | 2.6 | 2.75 | V | |
| 输入电压下降 | 2.25 | 2.5 | 2.6 | V | |||
| TSD | 热关断温度 | 结温上升 | 170 | °C | |||
| 热关断迟滞 | 15 | ||||||
| 控制（EN、SS/TR、PG、MODE） | |||||||
| VIH | MODE 引脚的高电平输入电压 | 1.1 | V | ||||
| VIL | MODE 引脚的低电平输入电压 | 0.3 | V | ||||
| fSYNC | MODE 引脚上用于同步的频率范围 | 在 COMP/FSET 和 GND 之间需要一个电阻器，请参阅应用部分 | 1.8 | 4 | MHz | ||
| MODE 引脚上同步信号的占空比 | 40% | 50% | 60% | ||||
| 锁定到外部频率所需的时间 | 50 | µs | |||||
| VIH | EN 引脚的输入阈值电压；上升沿 | 1.06 | 1.1 | 1.15 | V | ||
| VIL | EN 引脚的输入阈值电压；下降沿 | 0.96 | 1.0 | 1.05 | V | ||
| ILKG | EN、MODE/SYNC 的输入漏电流 | VIH = VIN 或 VIL= GND | 150 | nA | |||
| 用于实现逻辑低电平的 COMP/FSET 至 GND 电阻 | f = 2.25MHz 时的内部频率设置 | 0 | 2.5 | kΩ | |||
| COMP/FSET 上用于实现逻辑高电平的电压 | f = 2.25MHz 时的内部频率设置 | VIN | V | ||||
| VTH_PG | UVP 电源正常阈值电压；直流电平 | 上升 (%VFB) | 92% | 95% | 98% | ||
| UVP 电源正常阈值电压；直流电平 | 下降 (%VFB) | 87% | 90% | 93% | |||
| OVP 电源正常阈值；直流电平 | 上升 (%VFB) | 107% | 110% | 113% | |||
| OVP 电源正常阈值；直流电平 | 下降 (%VFB) | 104% | 107% | 111% | |||
| 电源正常抗尖峰脉冲时间 | 对于电源正常状态下从高电平到低电平的转换 | 40 | µs | ||||
| VOL_PG | 电源正常状态输出低电平电压 | IPG = 2mA | 0.07 | 0.3 | V | ||
| ILKG_PG | 输入漏电流 (PG) | VPG = 5V | 100 | nA | |||
| ISS/TR | SS/TR 引脚拉电流 | 2.1 | 2.5 | 2.8 | µA | ||
| 跟踪增益 | VFB/VSS/TR | 1 | |||||
| 跟踪失调电压 | VSS/TR = 0V 时的反馈电压 | 17 | mV | ||||
| 电源开关 | |||||||
| RDS(ON) | 高侧 MOSFET 导通电阻 | VIN ≥ 5V | 37 | 60 | mΩ | ||
| RDS(ON) | 低侧 MOSFET 导通电阻 | VIN ≥ 5V | 15 | 35 | mΩ | ||
| 高侧 MOSFET 漏电流 | VIN = 6V；V(SW) = 0V | 30 | µA | ||||
| 低侧 MOSFET 漏电流 | V(SW) = 6V | 55 | µA | ||||
| SW 漏电流 | V(SW) = 0.6V；流入 SW 引脚的电流 | -0.025 | 30 | µA | |||
| ILIMH | 高侧 MOSFET 电流限制 | 直流值，适用于 TPS62810；VIN = 3V 至 6V | 4.8 | 5.6 | 6.65 | A | |
| ILIMH | 高侧 MOSFET 电流限制 | 直流值，适用于 TPS62813；VIN = 3V 至 6V | 3.9 | 4.5 | 5.35 | A | |
| ILIMH | 高侧 MOSFET 电流限制 | 直流值，适用于 TPS62812；VIN = 3V 至 6V | 2.8 | 3.4 | 4.3 | A | |
| ILIMH | 高侧 MOSFET 电流限制 | 直流值，适用于 TPS62811；VIN = 3V 至 6V | 2.0 | 2.6 | 3.35 | A | |
| ILIMNEG | 负谷值电流限值 | 直流值 | -1.8 | A | |||
| fS | PWM 开关频率范围 | 1.8 | 2.25 | 4 | MHz | ||
| fS | PWM 开关频率 |
COMP/FSET 连接到 VIN 或 GND | 2.025 | 2.25 | 2.475 | MHz | |
| PWM 开关频率容差 | 使用 COMP/FSET 到 GND 之间的电阻器，fs = 1.8MHz 到 4MHz | -19% | 18% | ||||
| ton,min | HS FET 的最短导通时间 | TJ = –40°C 至 125°C，VIN = 3.3V | 50 | 75 | ns | ||
| ton,min | LS FET 的最短导通时间 | VIN = 3.3V | 30 | ns | |||
| 输出 | |||||||
| VFB | 反馈电压 | 0.6 | V | ||||
| ILKG_FB | 输入漏电流 (FB) | VFB = 0.6V | 1 | 70 | nA | ||
| VFB | 反馈电压精度 | VIN ≥ VOUT + 1V | PWM 模式 | -1% | 1% | ||
| VIN ≥ VOUT + 1V； VOUT ≥ 1.5V |
PFM 模式； Co,eff ≥ 22µF， L = 0.47µH |
-1% | 2% | ||||
| 1V ≤ VOUT < 1.5V | PFM 模式； Co,eff ≥ 47µF， L = 0.47µH |
-1% | 2.5% | ||||
| VFB | 反馈电压精度与电压跟踪 | VIN ≥ VOUT + 1V； VSS/TR = 0.3V |
PWM 模式 | -1% | 7% | ||
| 负载调整率 | PWM 模式运行 | 0.05 | %/A | ||||
| 线路调整率 | PWM 模式运行，IOUT= 1A，VIN ≥ VOUT + 1V | 0.02 | %/V | ||||
| 输出放电电阻 | 50 | Ω | |||||
| tdelay | 启动延迟时间 | IOUT = 0mA，从 EN = 高电平到开始开关的时间；已施加 VIN | 135 | 250 | 650 | µs | |
| tramp | 斜坡时间；SS/TR 引脚开路 | IOUT = 0mA，从第一次开关脉冲到标称输出电压 95% 的时间；器件未处于电流限制状态 | 100 | 150 | 200 | µs | |