ZHCSOG4C November   2023  – October 2024 TPS6287B10 , TPS6287B15 , TPS6287B20 , TPS6287B25 , TPS6287B30

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件选项
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 I2C 接口时序特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 参数测量信息
  9. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  固定频率 DCS 控制拓扑
      2. 8.3.2  强制 PWM 和省电模式
      3. 8.3.3  瞬态非同步模式(可选)
      4. 8.3.4  精密使能
      5. 8.3.5  启动
      6. 8.3.6  开关频率选择,仅适用于 TPS6287BxxJE2
      7. 8.3.7  输出电压设置
        1. 8.3.7.1 输出电压范围
        2. 8.3.7.2 输出电压设定点
        3. 8.3.7.3 非默认输出电压设定点
        4. 8.3.7.4 动态电压调节
        5. 8.3.7.5 压降补偿
      8. 8.3.8  补偿 (COMP)
      9. 8.3.9  模式选择/时钟同步 (MODE/SYNC)
      10. 8.3.10 展频时钟 (SSC)
      11. 8.3.11 输出放电
      12. 8.3.12 欠压锁定 (UVLO)
      13. 8.3.13 过压锁定 (OVLO)
      14. 8.3.14 过流保护
        1. 8.3.14.1 逐周期电流限制
        2. 8.3.14.2 断续模式
        3. 8.3.14.3 限流模式
      15. 8.3.15 电源正常 (PG)
        1. 8.3.15.1 独立、主器件行为
        2. 8.3.15.2 辅助器件行为
      16. 8.3.16 遥感
      17. 8.3.17 热警告和热关断
      18. 8.3.18 堆叠操作
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 上电复位
      2. 8.4.2 欠压锁定
      3. 8.4.3 待机
      4. 8.4.4 打开
    5. 8.5 编程
      1. 8.5.1 串行接口说明
      2. 8.5.2 标准模式、快速模式、快速+ 模式协议
      3. 8.5.3 HS 模式协议
      4. 8.5.4 I2C 更新序列
      5. 8.5.5 I2C 寄存器复位
      6. 8.5.6 动态电压调节 (DVS)
  10. 器件寄存器
  11. 10应用和实施
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型应用
      1. 10.2.1 设计要求
      2. 10.2.2 详细设计过程
        1. 10.2.2.1 电感器选型
        2. 10.2.2.2 选择输入电容器
        3. 10.2.2.3 选择补偿电阻器
        4. 10.2.2.4 选择输出电容器
        5. 10.2.2.5 选择补偿电容器 CC
        6. 10.2.2.6 选择补偿电容器 CC2
      3. 10.2.3 应用曲线
    3. 10.3 典型应用 - TPS6287BxV 器件
      1. 10.3.1 TPS6287BxV 的设计要求
    4. 10.4 关于在堆叠配置中使用两个 TPS6287B25 的典型应用
      1. 10.4.1 两个堆叠器件的设计要求
      2. 10.4.2 详细设计过程
        1. 10.4.2.1 选择补偿电阻器
        2. 10.4.2.2 选择输出电容器
        3. 10.4.2.3 选择补偿电容器 CC
      3. 10.4.3 两个堆叠器件的应用曲线
    5. 10.5 关于在堆叠配置中使用三个 TPS6287B25 的典型应用
      1. 10.5.1 应用曲线
    6. 10.6 电源相关建议
    7. 10.7 布局
      1. 10.7.1 布局指南
      2. 10.7.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

选择输入电容器

与所有降压转换器一样,TPS6287Bx 器件的输入电流是不连续的。输入电容器为器件提供低阻抗能源,值、类型和位置对于正确运行至关重要。TI 建议使用低 ESR 多层陶瓷电容器,以便实现理想性能。实际上,总输入电容通常包括不同电容器的组合,其中较大的电容器在较低频率下提供去耦,而较小的电容器在较高频率下提供去耦。

TPS6287Bx 器件采用蝶形 布局,两个 VIN 引脚对位于封装的两个相对侧。这使得输入电容器可以对称地放置在 PCB 上,以使产生的电磁场相互抵消,从而降低 EMI。

转换器的占空比由以下公式给出:

方程式 8. D=VOUTη×VIN

其中:

  • VIN 是输入电压
  • VOUT 是输出电压
  • η 是效率

方程式 9. D=0.750.9×3.3=0.253

满足输入电压纹波要求所需的输入电容值由以下公式给出:

方程式 10. CIN=D×(1-D)×IOUTVIN(PP)×fsw

其中:

  • D 为占空比
  • fsw 是开关频率
  • VIN(PP) 是输入电压纹波

  • IOUT 是输出电流

方程式 11. CIN=0.253×1-0.253×16.250.1×1.5×106F =20.42 μF

通过方程式 10 计算得出的 CIN 值是考虑所有降额、容差和老化影响后的有效 电容。我们建议 CIN 使用具有 X7R 电介质(或类似介质)的多层陶瓷电容器,并且这些电容器必须尽可能靠近 VIN 和 GND 引脚放置,以尽量减小环路面积。

表 10-3 列出了多个适合该应用的电容器。然而,该列表并不详尽,其他制造商提供的其他电容器也可能适用。
表 10-3 建议的输入电容器列表
电容尺寸电压额定值制造商,器件型号
mm(英寸)
470nF ±10%1005 (0402)10VMurata,GCM155C71A474KE36D
470nF ±10%1005 (0402)10VTDK,CGA2B3X7S1A474K050BB
10μF ±10%2012 (0805)10VMurata,GCM21BR71A106KE22L
10μF ±10%2012 (0805)10VTDK,CGA4J3X7S1A106K125AB
22μF ±10%3216 (1206)10VMurata,GCM31CR71A226KE02L
22μF ±20%3216 (1206)10VTDK,CGA5L1X7S1A226M160AC