TPS62932 和 TPS62933x 都是具有两个集成 N 沟道 MOSFET 的 30V、2A 和 3A 同步降压转换器。它们采用固定频率峰值电流控制模式，可实现快速瞬态响应以及出色的线路和负载调节。这些器件具有经过优化的内部环路补偿功能，因此在宽输出电压和开关频率范围内无需外部补偿元件。

集成的 76mΩ 和 32mΩ MOSFET 允许高效率电源设计，其连续输出电流高达 2A (TPS62932) 或 3A（TPS62933 和 TPS62933x）。反馈基准电压设计为 0.8V。输出电压可从 0.8V 降至 22V。这些器件非常适合由 5V、12V、19V 和 24V 总线电源轨供电的系统。

TPS6293x 针对安全地单调启动至预偏置负载而设计。默认启动条件为 V_IN 等于 3.8V。器件启用后，输出从 0V 平稳上升至其稳定电压。TPS6293x 在空载下不开关时具有低工作电流，尤其是 TPS62932、TPS62933 和 TPS62933P，其工作电流为 12μA（典型值）。TPS6293x 禁用后，电源电流约为 2µA（典型值）。这些特性非常有益于在低功耗运行时延长电池寿命。

脉冲频率调制 (PFM) 模式让 TPS62932、TPS62933 和 TPS62933P 能够更大限度地提高轻负载效率。连续电流模式让 TPS62933F 在所有负载条件下都具有低输出纹波。TPS62933O 在 Out-of-Audio 模式下运行，可避免可闻噪声。

EN 引脚有一个内部上拉电流，可用于通过两个外部电阻器调整输入电压欠压锁定 (UVLO)。此外，EN 引脚可以悬空，以便器件使用内部上拉电流运行。

开关频率可以通过配置 RT 引脚在 200kHz 至 2.2MHz 之间进行设置，从而可以在选择输出滤波器元件时优化系统效率和解决方案尺寸。TPS62932、TPS62933、TPS62933P 和 TPS62933O 具有展频功能，有助于降低 EMI 噪声。

将一个小值电容器或电阻分压器连接到 TPS62932、TPS62933 和 TPS62933F 的 SS 引脚，可实现软启动时间设置或电压跟踪。TPS62933P 和 TPS62933O 通过 PG 引脚指示电源正常状态。

这些器件具有导通时间延长功能，最大导通时间为 7μs（典型值）。在低压差操作期间，高侧 MOSFET 最多可导通 7μs，然后高侧 MOSFET 关断，同时低侧 MOSFET 导通，最短关断时间为 140ns（典型值）。这些器件支持最大 98% 的占空比。

这些器件通过集成自举电路减少外部元件数量。BST 和 SW 引脚间连接的电容器为集成高侧 MOSFET 提供偏置电压。UVLO 电路监控自举电容器电压 V_BST-SW。当它降至 2.5V（典型值）的预设阈值以下时，SW 引脚会被拉低，以便为自举电容器充电。

高侧 MOSFET 的逐周期电流限制可在过载情况下保护器件，并通过低侧拉电流限制防止电流失控，从而增强限制效果。TPS6293x 提供输出欠压保护 (UVP)，当稳压输出电压因过流被触发而低于标称电压的 65% 时，经过约 256μs（典型值）抗尖峰时间后，高侧和低侧 MOSFET 均关断，同时器件进入断续模式。

这些器件通过利用过压比较器来更大限度地减少过多的输出过压瞬变。当经调节的输出电压高于标称电压的 115% 时，过压比较器便会激活，并会关闭并禁止开启高侧 MOSFET，直到输出电压低于标称电压的 110%。

当芯片温度 T_J 超过 165°C 时，热关断会禁用器件，而当 T_J 降至 30°C 的迟滞量以下后，则会再次启用器件。