TPS65219-Q1 总共提供了四个线性稳压器，其中 LDO1 和 LDO2 具有相同特性，LDO3 和 LDO4 具有相同特性。

LDO1 和 LDO2：400mA，0.6V -3.4V

LDO1 和 LDO2 都是通用 LDO，旨在为 SOC 或外设上的模拟电路提供电源。LDO 的输入电压范围为 1.5V 至 5.5V，可直接连接到系统电源或降压转换器的输出。输出电压可在 0.6V 至 3.4V 范围内以 50mV 阶跃进行编程。两个 LDO 均支持高达 400mA 的电流。这些 LDO 可配置为旁路模式，充当负载开关。如果配置为旁路模式，仍需要在 LDOx_VOUT 寄存器中指定所需的输出电压。这些 LDO 还支持在使能时改变输出电压，从而支持 SD 卡 IO 电源等功能，在初始化后从 3.3V 变为 1.8V，无论是在电源电压高于 3.3V 的 LDO 模式下，还是在 3.3V 电源下在旁路模式和 LDO 模式之间切换均是如此。这些 LDO 还支持负载开关模式 (LSW_mode)：在这种情况下，支持 1.5V 至 5.5V 的输出电压。不需要在 LDOx_VOUT 寄存器中配置所需的电压。

• 在 SD 卡供电的情况下，其中一个 LDO 可由配置为 VSEL_SD 的 VSEL_SD/VSEL_DDR 控制。由 MFP_1_CONFIG 寄存器中的 VSEL_RAIL 位选择控制哪个 LDO。引脚的极性可以通过 MFP_1_CONFIG 寄存器中的 VSEL_SD_POLARITY 位进行配置。

  或者，与 MFP_1_CONFIG 寄存器中的 VSEL_SD_I2C_CTRL 的 I2C 通信控制输出电压变化。因此，即使 VSEL_SD/VSEL_DDR 引脚配置为 VSEL_DDR，仍需要配置 VSEL_RAIL 位来定义哪个 LDO 受 I2C 命令影响。

• 这些 LDO 可配置为线性稳压器，或者在旁路模式下运行，或者配置为负载开关（LSW 模式）。此模式通过 LDOx_VOUT 寄存器中的 LDOx_LSW_CONFIG 和 LSW_BYP_CONFIG 位配置。

输出电容要求

• 在 LDO 模式下，需要 1.6µF 的最小电容，并且支持 20µF 的最大总负载电容（输出滤波器和负载点组合）
• 在 LSW 或旁路模式下，需要 1.6µF 的最小电容，并且支持 50µF 的最大总电容（输出滤波器和负载点组合）

LDO3 和 LDO4：300mA，1.2V -3.3V

LDO3 和 LDO4 都是通用 LDO，旨在为 SOC 或外设上的模拟电路提供电源。LDO 的输入电压范围为 2.2V 至 5.5V，可直接连接到系统电源或降压转换器的输出。请注意，这些 LDO 需要在 VSYS 和 LDO 输出电压之间留出最小 150mV 的余量。输出电压可在 1.2V 至 3.3V 范围内以 50mV 阶跃进行编程。两个 LDO 均支持高达 300mA 的电流。LDO 可配置为充当负载开关。在这种情况下，支持 2.2V 至 5.5V 的输出电压。不需要在 LDOx_VOUT 寄存器中配置所需的电压。

这些 LDO 支持具有有限输出电容的快速斜坡模式和慢速斜坡模式，从而允许更大的总负载电容。

输出电容要求

• 对于慢速斜坡 LDO 模式或 LSW 模式，需要 1.6µF 的最小电容，并且支持 30µF 的最大总电容（输出滤波器和负载点组合）
• 对于快速斜坡 LDO 模式或 LSW 模式，需要 1.6µF 的最小电容，并且支持 15µF 的最大总电容（输出滤波器和负载点组合）

LDO1、LDO2、LDO3 和 LDO4

• 处于 ACTIVE 状态的 LDO 的开/关状态由 ENABLE_CTRL 寄存器中相应的 LDOx_EN 位控制。
• 处于 STBY 状态的 LDO 的开/关状态由 STBY_1_CONFIG 寄存器中相应的 LDOx_STBY_EN 位控制。
• 在 INITIALIZE 状态下，无论位设置如何，LDO 都会关闭。

• 每个 LDO 都可以配置为线性稳压器或负载开关（LSW 模式）。LDO1 和 LDO2 也可以在旁路模式下工作。该模式由每个稳压器的 LDOx_VOUT 寄存器中的 LDOx_LSW_CONFIG 和 LSW_BYP_CONFIG 位单独配置。
  警告： 只有在禁用稳压器后，才能在 LDO（/旁路）和 LSW 模式之间进行模式切换！

  （稳压器运行期间支持在 LDO 和旁路模式之间进行模式切换（仅 LDO1 和 LDO2 支持）。）

• LDO 具有有源放电功能。每当 LDOx 被禁用时，输出就会放电到地。可以在 DISCHARGE_CONFIG 寄存器中为每个电源轨单独禁用放电功能。
• 在（从 INITIALIZE 状态或 STBY 状态）进入 ACTIVE 状态的某个序列之前，无论放电配置如何，该器件都会使禁用的电源轨放电，以避免出现预偏置输出。
• 如果通过 I2C 命令启用了电源轨，则不会强制执行有源放电，但仅当输出电压低于 SCG 阈值时才会启用电源轨。
• 该寄存器不受 EEPROM 支持，并且会在器件进入 OFF 状态时复位。
• 处于 INITIALIZE 状态（在复位期间或 I2C-OFF 请求期间）时，不会复位放电配置。注意：如果禁用放电功能，则可能违反断电序列

LDO 故障处理

• TPS65219-Q1 会检测 LDO 输出上的欠压。对欠压检测的反应取决于 INT_MASK_LDOS 寄存器中 LDOx_UV_MASK 位的配置和 INT_MASK_BUCKS 寄存器中 MASK_EFFECT 位的配置。如果未屏蔽，器件将在 INT_SOURCE 寄存器中设置 INT_LDO_1_2_IS_SET 或 INT_LDO_3_4_IS_SET 位，并在 INT_LDO_1_2 或 INT_LDO_3_4 寄存器中设置 LDOx_UV 位。

  在电压转换期间（上电时或通过切换 VSEL_SD 引脚或 I2C 命令触发），器件默认会消隐欠压检测，并在电压转换完成时激活欠压检测。

  如果器件在（从 INITIALIZE 或 STBY 状态）进入 ACTIVE 状态的序列期间检测到欠压且 UV 未被屏蔽，则断电序列会在当前时隙结束时开始。

  如果器件在 ACTIVE 状态或 STBY 状态下检测到欠压且 UV 未被屏蔽，则断电序列会立即启动。OC 检测不可屏蔽。

  警告： 如果 LDO 配置为旁路模式或 LSW 模式，则不支持 UV 检测。
• TPS65219-Q1 在 LDO 输出上提供电流限制。如果 PMIC 检测到过流的时间为 t_{DEGLITCH_OC_short} 或 t_{DEGLITCH_OC_long}（可通过 OC_DEGL_CONFIG 寄存器中的 EN_LONG_DEGL_FOR_OC_LDOx 对每个电源轨单独配置；仅适用于上升沿），该器件会在 INT_SOURCE 寄存器中设置 INT_LDO_1_2_IS_SET 或 INT_LDO_3_4_IS_SET 位，并在 INT_LDO_1_2 或 INT_LDO_3_4 寄存器中设置 LDOx_OC 位。受影响的电源轨将立即被禁用。

  在电压转换期间（上电时或通过切换 VSEL_SD 引脚或由 I2C 命令触发），过流检测将被消隐，并在电压转换完成时激活。

  如果在（从 INITIALIZE 状态或 STBY 状态）进入 ACTIVE 状态的序列期间发生过流，器件会立即禁用受影响的电源轨并在当前时隙结束时启动断电序列。

  如果在 ACTIVE 状态或 STBY 状态下发生过流，器件会立即禁用受影响的电源轨并启动断电序列。

  OC 检测不可屏蔽，但抗尖峰脉冲时间是可配置的。强烈建议使用 t_{DEGLITCH_OC_short}。长时间过流可能会加剧老化或增大恢复时过冲。
  

• TPS65219-Q1 会检测 LDO 输出上的接地短路 (SCG) 故障。对检测到 SCG 事件的反应是在 INT_SOURCE 寄存器中设置 INT_LDO_1_2_IS_SET 或 INT_LDO_3_4_IS_SET 位，以及在 INT_LDO_1_2 寄存器或 INT_LDO_3_4 寄存器中设置 LDOx_SCG 位。受影响的电源轨立即被禁用。该器件会定序关闭所有输出并转换至 INITIALIZE 状态。

  SCG 检测不可屏蔽。

  如果启用了某个电源轨，器件最初会消隐 SCG 检测，以允许该电源轨斜升到 SCG 阈值以上。
  

• TPS65219-Q1 会检测 LDO 输出上的残余电压 (RV) 故障。对 RV 事件检测的反应是在 INT_SOURCE 寄存器中设置 INT_RV_IS_SET 位以及在 INT_RV 寄存器中设置 LDOx_RV 位。RV 检测不可屏蔽，但可以通过 INT_MASK_WARM 寄存器中的 MASK_INT_FOR_RV 为所有电源轨全局配置 nINT 反应。无论是否屏蔽，器件都会设置 LDOx_RV 标志，只有在断言 nINT 时才设置 INT_RV_IS_SET 位。故障反应时间和潜在的状态转换取决于检测到故障时的情况：
  • 如果器件在 INITIALIZE 状态下 ON 请求期间检测到残余电压，PMIC 栅极会上电并且器件保持在 INITIALIZE 状态。如果检测到 RV 条件的时间超过 4ms 至 5ms，器件会设置 LDOx_RV 位，但只要 RV 条件存在，就会保持在 INITIALIZE 状态。如果 RV 条件不再存在，并且 ON 请求仍然有效，器件将转换为 ACTIVE 状态。
  • 如果器件在上电、ACTIVE_TO_STANDBY 或 STANDBY_TO_ACTIVE 序列期间检测到残余电压，则序列会中止，器件会断电。
  • 如果在请求退出 STBY 状态期间，器件检测到在 STBY 状态期间被禁用的任何电源轨上的残余电压超过 80ms，器件会转换至 INITIALIZE 状态。如果该情况持续 4ms 至 5ms 但少于 80ms，器件会设置 LDOx_RV 位。
  • 如果器件在上电、ACTIVE_TO_STANDBY 或 STANDBY_TO_ACTIVE 序列期间检测到残余电压，则序列会中止，器件会断电。
  • 如果器件在 I2C 对电源轨执行 EN 命令期间检测到残余电压，则会立即设置 LDOx_RV 位，但不会发生状态转换。
• LDO 有一个局部过热传感器。对温度警告的反应取决于 INT_MASK_BUCKS 寄存器中相应 SENSOR_x_WARM_MASK 位和 MASK_EFFECT 位的配置。如果传感器上的温度超过 T_{WARM_Rising} 且未被屏蔽，器件会在 INT_SOURCE 寄存器中设置 INT_SYSTEM_IS_SET 位并在 INT_SYSTEM 寄存器中设置 SENSOR_x_WARM 位。如果传感器检测到温度超过 T_{HOT_Rising}，则转换器功率耗散和结温将超出安全工作值。器件会立即将所有有效输出断电，并在 INT_SOURCE 寄存器中设置 INT_SYSTEM_IS_SET 位并在 INT_SYSTEM 寄存器中设置 SENSOR_x_HOT 位。一旦温度降至 T_{WARM_FAlling} 阈值以下（或在 T_WARM 被屏蔽的情况下低于 T_{HOT_FAlling} 阈值），TPS65219-Q1 便会自动恢复。_HOT 位保持设置状态并需要通过写入“1”来清零。HOT 检测不可屏蔽。