ZHCSNP4B December   2022  – June 2024 TPS65219-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  系统控制阈值
    6. 5.6  BUCK1 转换器
    7. 5.7  BUCK2、BUCK3 转换器
    8. 5.8  通用 LDO（LDO1、LDO2）
    9. 5.9  通用 LDO（LDO3、LDO4）
    10. 5.10 GPIO 和多功能引脚（EN/PB/VSENSE、nRSTOUT、nINT、GPO1、GPO2、GPIO、MODE/RESET、MODE/STBY、VSEL_SD/VSEL_DDR）
    11. 5.11 电压和温度监测器
    12. 5.12 I2C 接口
    13. 5.13 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  上电时序
      2. 6.3.2  下电时序
      3. 6.3.3  按钮和使能输入 (EN/PB/VSENSE)
      4. 6.3.4  复位到 SoC (nRSTOUT)
      5. 6.3.5  降压转换器（Buck1、Buck2 和 Buck3）
        1. 6.3.5.1 双随机展频 (DRSS)
      6. 6.3.6  线性稳压器（LDO1 至 LDO4）
      7. 6.3.7  中断引脚 (nINT)
      8. 6.3.8  PWM/PFM 和低功耗模式 (MODE/STBY)
      9. 6.3.9  PWM/PFM 和复位 (MODE/RESET)
      10. 6.3.10 电压选择引脚 (VSEL_SD/VSEL_DDR)
      11. 6.3.11 通用输入或输出（GPO1、GPO2 和 GPIO）
      12. 6.3.12 与 I2C 兼容的接口
        1. 6.3.12.1 数据有效性
        2. 6.3.12.2 启动和停止条件
        3. 6.3.12.3 传输数据
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 运行模式
        1. 6.4.1.1 OFF 状态
        2. 6.4.1.2 INITIALIZE 状态
        3. 6.4.1.3 运行状态
        4. 6.4.1.4 STBY 状态
        5. 6.4.1.5 故障处理
    5. 6.5 多 PMIC 运行
    6. 6.6 用户寄存器
    7. 6.7 器件寄存器
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 典型应用示例
      2. 7.2.2 设计要求
      3. 7.2.3 详细设计过程
        1. 7.2.3.1 Buck1、Buck2、Buck3 设计过程
        2. 7.2.3.2 LDO1、LDO2 设计过程
        3. 7.2.3.3 LDO3、LDO4 设计过程
        4. 7.2.3.4 VSYS、VDD1P8
        5. 7.2.3.5 数字信号设计过程
      4. 7.2.4 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.12 I2C 接口

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）。当 VIO 为 3.3V 或 1.8V 时，器件支持标准模式 (100kHz)、快速模式 (400kHz) 和快速+ 模式 (1MHz)。
POS 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电气特性
11.1.1 VOL 低电平输出电压 对于标准模式和快速模式，VIO = 3.6V、IOL = 3mA；对于超快模式、SDA，IOL = 20mA 0.40 V
11.1.2 VIL 低电平输入电压 SDA、SCL 0.40 V
11.1.3 VIH 高电平输入电压 SDA、SCL 1.26 V
11.1.4 VHYST 输入缓冲器迟滞 EN_BP/VSENSE、MODE_RESET、MODE_STBY、SDA、SCL、GPIO 100 500 mV
11.1.5 CB SDA 和 SCL 的容性负载 400 pF
时序要求
11.2.1 ƒSCL 串行时钟频率 标准模式 100 kHz
11.2.2 快速模式 400
11.2.3 快速+ 模式 1 MHz
11.3.1 tLOW SCL 低电平时间 标准模式 4.7 µs
11.3.2 快速模式 1.3
11.3.3 快速+ 模式 0.50
11.4.1 tHIGH SCL 高电平时间 标准模式 4.0 µs
11.4.2 快速模式 0.60
11.4.3 快速+ 模式 0.26
11.5.1 tSU;DAT 数据设置时间 标准模式 250 ns
11.5.2 快速模式 100
11.5.3 快速+ 模式 50
11.6.1 tHD;DAT 数据保持时间 标准模式 10 3450 ns
11.6.2 快速模式 10 900
11.6.6 快速+ 模式 10
11.7.1 tSU;STA 启动或重复启动条件的建立时间 标准模式 4.7 µs
11.7.2 快速模式 0.60
11.7.3 快速+ 模式 0.26
11.8.1 tHD;STA 启动或重复启动条件的保持时间 标准模式 4.7 µs
11.8.2 快速模式 0.60
11.8.3 快速+ 模式 0.26
11.9.1 tBUF 停止与启动条件之间的总线空闲时间 标准模式 4.7 µs
11.9.2 快速模式 1.3
11.9.3 快速+ 模式 0.50
11.10.1 tSU;STO STOP 条件的建立时间 标准模式 0.60 µs
11.10.2 快速模式 0.60
11.10.3 快速+ 模式 0.26
11.10.1 trDA SDA 信号的上升时间 标准模式，VIO = 1.8V，RPU = 10kΩ，CB = 400pF 1000 ns
11.10.2 快速模式，VIO = 1.8V，RPU = 1kΩ，CB = 400pF 20 300
11.10.3 快速+ 模式，VIO = 1.8V，RPU = 330Ω，CB = 400pF 120
11.12.1 tfDA SDA 信号的下降时间 标准模式，VIO = 1.8V，RPU = 10kΩ，CB = 400pF 300 ns
11.12.2 快速模式，VIO = 1.8V，RPU = 1kΩ，CB = 400pF 6.5 300
11.12.3 快速+ 模式，VIO = 1.8V，RPU = 330Ω，CB = 400pF 6.5 120
11.13.1 trCL SCL 信号的上升时间 标准模式，VIO = 1.8V，RPU = 10kΩ，CB = 400pF 1000 ns
11.13.2 快速模式，VIO = 1.8V，RPU = 1kΩ，CB = 400pF 20 300
11.13.3 快速+ 模式，VIO = 1.8V，RPU = 330Ω，CB = 400pF 120
11.14.1 tfCL SCL 信号的下降时间 标准模式，VIO = 1.8V，RPU = 10kΩ，CB = 400pF 300 ns
11.14.2 快速模式，VIO = 1.8V，RPU = 1kΩ，CB = 400pF 6.5 300
11.14.3 快速+ 模式，VIO = 1.8V，RPU = 330Ω，CB = 400pF  6.5 120
11.15.1 tSP 被抑制的尖峰的脉冲宽度（抑制小于指示宽度的 SCL 和 SDA 尖峰） 快速模式和快速+ 模式 50 ns
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