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ZHCSQM7B May 2022 – June 2024 TPS65219

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

RSM|32
- MPQF195B
RHB|32
- MPQF130D

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

RSM|32
- QFND112H
RHB|32
- QFND676

订购信息

6.3 建议运行条件

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）

POS			最小值	标称值	最大值	单位
3.1.1	V_VSYS	输入电压	2.5 ⁽¹⁾		5.5	V
3.1.2	V_{PVIN_B1}、V_{PVIN_B2}、 V_{PVIN_B3} V_{LX_B1}、V_{LX_B2}、 V_{LX_B3}	BUCKx 引脚	2.5		5.5 ⁽²⁾	V
3.1.3	ΔV_{VSYS_PVIN_Bx}	达到此电压时，V_{PVIN_Bx}可能超过 V_VSYS			0	mV
3.1.4	ΔV_{VSYS_PVIN_LDO1,LDO2}	达到此电压时，V_{PVIN_LDO1}或 V_{PVIN_LDO2} 可能超过 V_VSYS			0	mV
3.1.5	ΔV_{VSYS_VLDO34}	达到此电压时，V_VSYS 必须超过 LDO 输出电压（VLDO3、VLDO4）；V_VSYS = 2.5V 至 3.45V；LDO 模式	150			mV
3.1.6	ΔV_{VSYS_VLDO34}	达到此电压时，V_VSYS 必须超过 LDO 输出电压（VLDO3、VLDO4）；V_VSYS = 3.45V 至 5.5V（在 LDO 模式下）或 V_VSYS = 2.5V 至 5.5V（在 LSW 模式下）	不适用			mV
3.1.7	C_{PVIN_B1}、C_{PVIN_B2}、 C_{PVIN_B3}	BUCKx 输入电容	3.9	4.7		µF
3.1.8	L_B1、L_B2、L_B3	BUCKx 输出电感	330	470	611	nH
3.1.9a	C_{OUT_B1}、C_{OUT_B2}、 C_{OUT_B3}	BUCKx 输出电容、强制 PWM 或自动 PFM、低带宽情况	10		75	µF
3.1.10a	C_{OUT_B1}、C_{OUT_B2}、 C_{OUT_B3}	BUCKx 输出电容、强制 PWM 或自动 PFM、高带宽情况	30		220	µF
3.1.11	V_{FB_B1}、V_{FB_B2}、 V_{FB_B3}	BUCKx FB 引脚	0		5.5 ⁽²⁾	V
3.1.12	V_{PVIN_LDO1}、V_{PVIN_LDO2}	LDO 输入电压	1.5		5.5 ⁽²⁾	V
3.1.13	V_{PVIN_LDO1}、V_{PVIN_LDO2}	旁路模式下的 LDO 输入电压	1.5		3.6	V
3.1.14	V_{PVIN_LDO1}、V_{PVIN_LDO2}	旁路模式下 V_{PVIN_LDOx} 与配置的 V_VLDOx 之间允许的增量	-200		200	mV
3.1.15	V_VLDO1、V_VLDO2	LDO 输出电压范围	0.6		3.4	V
3.1.16	C_{PVIN_LDO1}、C_{PVIN_LDO2}	LDO 输入电容	1.6	2.2		µF
3.1.17	C_VLDO1、C_VLDO2	LDO 输出电容	1.6	2.2	20	µF
3.1.18	V_{PVIN_LDO3}、V_{PVIN_LDO4}	LDO 输入电压	2.2		5.5 ⁽²⁾	V
3.1.19	V_VLDO3、V_VLDO4	LDO 输出电压范围	1.2		3.3	V
3.1.20	C_{PVIN_LDO34}	LDO 输入电容	2.2	4.7		µF
3.1.21	C_VLDO3、C_VLDO4	LDO 输出电容	1.6	2.2	30 ⁽³⁾	µF
3.1.22	V_VDD1P8	VDD1P8 引脚	0		1.8	V
3.1.23	C_VDD1P8	内部稳压器去耦电容	1	2.2	4	µF
3.1.24	C_VSYS	VSYS 输入去耦电容	1	2.2		µF
3.1.25	V_nINT、V_nRSTOUT	数字输出	0		3.4	V
3.1.26	V_GPO1、V_GPO2、V_GPIO	数字输出	0		5.5 ⁽²⁾	V
3.1.27	V_SCL、V_SDA	I2C 接口	0		3.4	V
3.1.28	V_EN/PB/VSENSE、V_MODE/STBY、 V_MODE/RESET、 V_{VSEL_SD/VSEL/DDR}	数字输入	0		5.5 ⁽²⁾	V
3.2.1	t_{VSYS_RAMP_RISE}	输入电压斜升时间、输入电压由前置稳压器控制。 V_VSYS = V_{PVIN_Bx} = V_{PVIN_LDOx} = 0V 至 5V	0.1		600000	ms
3.2.2	t_{VSYS_RAMP_FALL}	输入电压斜降时间，V_VSYS = V_{PVIN_Bx} = V_{PVIN_LDOx} = 5V 至 2.5V	0.4		600000	ms
3.3.1	T_A	自然通风条件下的工作温度范围	-40		105	°C
3.3.2	T_J	工作结温	-40		125	°C

(1) 对于 EEPROM 编程，VSYS(min)=3.3V

(2) 不得超过 VSYS

(3) 在慢速斜坡模式下。快速斜坡最大支持 15µF