ZHCSTA1A September 2023 – June 2024 TPS6521905-Q1
PRODUCTION DATA
输入电容 - LDO3、LDO4
LDO3 和 LDO4 的输入电源引脚需要一个输入去耦电容器,以尽可能降低输入纹波电压。这两个 LDO 共享同一个输入电源引脚。建议使用至少 4.7μF 的输入电容。根据 LDO 的输入电压,可以使用 6.3V 或更高额定值的电容器。当 LDO 配置为 LDO 或“负载开关”时,相同的输入电容要求适用。
输出电容 - LDO3、LDO4
LDO 输出需要一个输出电容器,以在负载阶跃或输入电压变化期间保持输出电压。建议对每个 LDO 输出使用 2.2µF 本地电容,ESR 为 10mΩ 或更小。局部电容不得超过 4µF(降额后)。此要求不包括在负载处看到的任何电容,仅指在器件附近看到的电容。每个 LDO 可支持的总电容(本地 + 负载点)取决于 NVM 配置。表 7-3 显示了允许的最大总输出电容。请参阅具体可订购器件型号的技术参考手册 (TRM),以根据寄存器设置和适用的最大总电容来确定 LDO 配置。
寄存器设置 | LDO 斜坡配置 | 最大总电容 (2.2µF 本地 + 负载点) |
---|---|---|
LDOx_SLOW_PU_RAMP | ||
0 | 快速斜坡 | 15uF |
1 | 慢速斜坡 | 30uF |