ZHCSTA1A September   2023  – June 2024 TPS6521905-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  系统控制阈值
    6. 5.6  BUCK1 转换器
    7. 5.7  BUCK2、BUCK3 转换器
    8. 5.8  通用 LDO（LDO1、LDO2）
    9. 5.9  通用 LDO（LDO3、LDO4）
    10. 5.10 GPIO 和多功能引脚（EN/PB/VSENSE、nRSTOUT、nINT、GPO1、GPO2、GPIO、MODE/RESET、MODE/STBY、VSEL_SD/VSEL_DDR）
    11. 5.11 电压和温度监测器
    12. 5.12 I2C 接口
    13. 5.13 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  上电时序
      2. 6.3.2  下电时序
      3. 6.3.3  按钮和使能输入 (EN/PB/VSENSE)
      4. 6.3.4  复位到 SoC (nRSTOUT)
      5. 6.3.5  降压转换器（Buck1、Buck2 和 Buck3）
      6. 6.3.6  线性稳压器（LDO1 至 LDO4）
      7. 6.3.7  中断引脚 (nINT)
      8. 6.3.8  PWM/PFM 和低功耗模式 (MODE/STBY)
      9. 6.3.9  PWM/PFM 和复位 (MODE/RESET)
      10. 6.3.10 电压选择引脚 (VSEL_SD/VSEL_DDR)
      11. 6.3.11 通用输入或输出（GPO1、GPO2 和 GPIO）
      12. 6.3.12 与 I2C 兼容的接口
        1. 6.3.12.1 数据有效性
        2. 6.3.12.2 启动和停止条件
        3. 6.3.12.3 传输数据
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 运行模式
        1. 6.4.1.1 OFF 状态
        2. 6.4.1.2 INITIALIZE 状态
        3. 6.4.1.3 运行状态
        4. 6.4.1.4 STBY 状态
        5. 6.4.1.5 故障处理
    5. 6.5 多 PMIC 运行
    6. 6.6 NVM 编程
      1. 6.6.1 TPS6521905-Q1 默认 NVM 设置
      2. 6.6.2 初始化状态下的 NVM 编程
      3. 6.6.3 运行状态下的 NVM 编程
    7. 6.7 用户寄存器
    8. 6.8 器件寄存器
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 典型应用示例
      2. 7.2.2 设计要求
      3. 7.2.3 详细设计过程
        1. 7.2.3.1 Buck1、Buck2、Buck3 设计过程
        2. 7.2.3.2 LDO1、LDO2 设计过程
        3. 7.2.3.3 LDO3、LDO4 设计过程
        4. 7.2.3.4 VSYS、VDD1P8
        5. 7.2.3.5 数字信号设计过程
      4. 7.2.4 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.9 通用 LDO（LDO3、LDO4）

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
POS 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电气特性
8.1.1 VIN 输入电压（LDO 模式）(1) LDO 模式，最大 VVSYS 2.2 5.5 V
8.1.2 VIN 输入电压（LSW 模式）(1) LSW 模式，最大 VVSYS 2.2 5.5 V
8.1.3 VOUT
LDO 输出电压可配置范围

 VIN = 2.2V 至 5.5V，最大 VVSYS 1.2 3.3 V
8.1.4 VOUT_STEP 输出电压阶跃 1.2V ≤ VOUT ≤ 3.3V 50 mV
8.1.5 VDROPOUT 压降电压 VINmin ≤ VIN ≤ VINmax，IOUT = IOUTmax 150 300 mV
8.1.6 VOUT_DC_ACCURACY 总直流精度，包括所有有效输出电压的直流负载和线性调整率 LDO 模式，VIN - VOUT > 300mV -1% 1%
8.1.7 RBYPASS LSW 模式下的旁路电阻 VIN = 3.3V，IOUT = 100mA，负载开关模式启用 1 Ω
8.2.1 VLOAD_TRANSIENT 瞬态负载调整率，ΔVOUT VIN = 3.3V，VOUT = 1.80V，IOUT = IOUT_MAX 的 20% 至 IOUT_MAX 的 80%，在 1μs 内，COUT = 2.2µF -25 25 mV
8.2.2 VLINE_TRANSIENT 瞬态线性调整率，
ΔVOUT / VOUT		 导通模式，不在压降条件下，VIN 阶跃 = 600mVPP，tr = tf = 10µs -25 25 mV
8.2.3 NOISERMS RMS 噪声 LDO 模式，f=100Hz 至 100KHz，VIN = 3.3V，VOUT = 1.8V，IOUT = 300mA 15 µVRMS
8.2.4 PSRR1KHZ 电源纹波抑制 LDO 模式，VIN = 3.3V，VOUT = 1.8V，IOUT = 300mA 71 db
8.2.5 PSRR10KHZ 电源纹波抑制 LDO 模式，VIN = 3.3V，VOUT = 1.8V，IOUT = 300mA 64 db
8.2.6 PSRR100KHZ 电源纹波抑制 LDO 模式，VIN = 3.3V，VOUT = 1.8V，IOUT = 300mA 61 db
8.2.7 PSRR1MHZ 电源纹波抑制 LDO 模式，VIN = 3.3V，VOUT = 1.8V，IOUT = 300mA 26 db
8.3.1 IOUT 输出电流 300 mA
8.3.2 ICURRENT_LIMIT 短路电流限制 VIN = 3.6V，VOUT = 0V，在脉冲负载条件下测试 400 900 mA
8.3.3 IIN_RUSH LDO 浪涌电流 LDO 或 LSW 模式，VIN = 3.3V，然后启用 LDO，COUT = 4µF，IOUT = 0mA 或 300mA 650 mA
8.3.4 RDISCHARGE 仅在禁用转换器时有效 120 250 400 Ω
8.3.5a IQ_ACTIVE 25°C 时 ACTIVE 状态下的静态电流 VVSYS = VIN = 3.3V，IOUT = 0mA
适用于 LDO 模式，
TJ = 25°C		 25 30 µA
8.3.5b IQ_ACTIVE -40°C 至 125°C 时 ACTIVE 状态下的静态电流 VVSYS = VIN = 3.3V，IOUT = 0mA
适用于 LDO 模式，
TJ = -40°C 至 125°C		 25 40 µA
8.3.5b IQ_ACTIVE
-40°C 至 150°C 时 ACTIVE 状态下的静态电流
 		 VVSYS = VIN = 3.3V，IOUT = 0mA，
适用于 LDO 模式，
TJ = -40°C 至 150°C		 25 40 µA
8.3.5c IQ_ACTIVE 25°C 时 ACTIVE 状态下的静态电流 VVSYS = VIN = 3.3V，IOUT = 0mA
适用于 LSW 模式，
TJ = 25°C		 60 112 µA
8.3.5d IQ_ACTIVE -40°C 至 125°C 时 ACTIVE 状态下的静态电流 VVSYS = VIN = 3.3V，IOUT = 0mA
适用于 LSW 模式，
TJ = -40°C 至 125°C		 70 145 µA
8.3.5d IQ_ACTIVE
-40°C 至 150°C 时 ACTIVE 状态下的静态电流
 		 VVSYS = VIN = 3.3V，IOUT = 0mA，
适用于 LSW 模式，
TJ = -40°C 至 150°C		 70 145 µA
8.4.1 CIN 输入滤波电容 (2) 2.2 4.7 µF
8.4.2 COUT 输出滤波电容(2) 从 VLDOx 连接到 GND，LDO 模式 1.6 2.2 4 µF
8.4.3a COUT_TOTAL_FAST 输出端的总电容（本地 + POL），快速斜坡时间(3) 1MHz < f < 10MHz，输出和负载点之间的阻抗最大为 6nH 15 µF
8.4.3b COUT_TOTAL_SLOW 输出端的总电容（本地 + POL），慢速斜坡时间(3) 1MHz < f < 10MHz，输出和负载点之间的阻抗最大为 6nH 30 µF
8.4.4 CESR 滤波电容 ESR 最大值 1MHz 至 10MHz 10 20 mΩ
时序要求
8.5.1a tRAMP_FAST 快速斜坡时间 从使能到目标值的 98% 测得，LDO 模式，在单独启用时进行测量，假设没有残余电压 660 µs
8.5.1b tRAMP_SLOW 慢速斜坡时间 从使能到目标值的 98% 测得，LDO 模式，在单独启用时进行测量，假设没有残余电压 2.3 ms
8.5.2a tRAMP_SLEW_FAST 快速斜升压摆率 LDO 或 LSW 模式，从 0.5V 到目标值测得 25 mV/µs
8.5.2b tRAMP_SLEW_SLOW 慢速斜升压摆率 LDO 或 LSW 模式，从 0.5V 到目标值测得 9 mV/µs
(1) PVIN_LDOx 不得超过 VSYS
(2) 当向陶瓷电容器施加直流电压时，由于直流偏置效应，有效电容会降低。因此，上表列出了最小电容值。为了满足最小电容要求，也许必须相应地调整电容器的标称值，以便在稳压器输出端的指定直流电压下考虑电容的下降。
(3) 超出指定值的额外电容（包括本地电容和 POL）可能会导致 LDO 变得不稳定
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