ZHCSQV6A June   2023  – June 2024 TPS6521905

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  系统控制阈值
    6. 5.6  BUCK1 转换器
    7. 5.7  BUCK2、BUCK3 转换器
    8. 5.8  通用 LDO（LDO1、LDO2）
    9. 5.9  通用 LDO（LDO3、LDO4）
    10. 5.10 GPIO 和多功能引脚（EN/PB/VSENSE、nRSTOUT、nINT、GPO1、GPO2、GPIO、MODE/RESET、MODE/STBY、VSEL_SD/VSEL_DDR）
    11. 5.11 电压和温度监测器
    12. 5.12 I2C 接口
    13. 5.13 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  上电时序
      2. 6.3.2  下电时序
      3. 6.3.3  按钮和使能输入 (EN/PB/VSENSE)
      4. 6.3.4  复位到 SoC (nRSTOUT)
      5. 6.3.5  降压转换器（Buck1、Buck2 和 Buck3）
      6. 6.3.6  线性稳压器（LDO1 至 LDO4）
      7. 6.3.7  中断引脚 (nINT)
      8. 6.3.8  PWM/PFM 和低功耗模式 (MODE/STBY)
      9. 6.3.9  PWM/PFM 和复位 (MODE/RESET)
      10. 6.3.10 电压选择引脚 (VSEL_SD/VSEL_DDR)
      11. 6.3.11 通用输入或输出（GPO1、GPO2 和 GPIO）
      12. 6.3.12 与 I2C 兼容的接口
        1. 6.3.12.1 数据有效性
        2. 6.3.12.2 启动和停止条件
        3. 6.3.12.3 传输数据
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 运行模式
        1. 6.4.1.1 OFF 状态
        2. 6.4.1.2 INITIALIZE 状态
        3. 6.4.1.3 运行状态
        4. 6.4.1.4 STBY 状态
        5. 6.4.1.5 故障处理
    5. 6.5 多 PMIC 运行
    6. 6.6 NVM 编程
      1. 6.6.1 TPS6521905 默认 NVM 设置
      2. 6.6.2 初始化状态下的 NVM 编程
      3. 6.6.3 运行状态下的 NVM 编程
    7. 6.7 用户寄存器
    8. 6.8 器件寄存器
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 典型应用示例
      2. 7.2.2 设计要求
      3. 7.2.3 详细设计过程
        1. 7.2.3.1 Buck1、Buck2、Buck3 设计过程
        2. 7.2.3.2 LDO1、LDO2 设计过程
        3. 7.2.3.3 LDO3、LDO4 设计过程
        4. 7.2.3.4 VSYS、VDD1P8
        5. 7.2.3.5 数字信号设计过程
      4. 7.2.4 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.8 通用 LDO（LDO1、LDO2）

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
POS 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电气特性
7.1.1 VIN_LDO 输入电压（LDO 模式）(1) LDO 模式，最大为 VSYS 1.5 5.5 V
7.1.2 VIN_LDO_BYP 输入电压（旁路模式）(1) (5) 旁路模式，最大为 VSYS 1.5 3.4  V
7.1.3 VIN_LDO_LSW 输入电压（LSW 模式）(1) LSW 模式，最大为 VSYS 1.5 5.5 V
7.1.4 VOUT_LDO LDO 输出电压可配置范围 LDO 模式，阶跃为 50mV，VIN - VOUT > 300mV 0.6 3.4 V
7.1.5 VOUT_LDO_BYP 旁路模式下的 LDO 输出电压可配置范围 旁路模式，可配置 VOUT 范围（阶跃为 50mV） 1.5 3.4 V
7.1.6 VOUT_STEP 输出电压阶跃 LDO 模式，0.6V ≤ VOUT ≤ 3.4V 50 mV
7.1.7 VDROPOUT 压降电压 VINmin ≤ VIN ≤ VINmax，IOUT = 400mA 150 300 mV
7.1.8 VOUT_ACCURACY_H 总直流输出电压精度，包括电压基准、直流负载和线性调整率、工艺和温度变化 LDO 模式，VIN - VOUT > 300mV，VOUT ≥ 1V -1% 1%
7.1.9 VOUT_ACCURACY_L 总直流输出电压精度，包括电压基准、直流负载和线性调整率、工艺和温度变化 LDO 模式，VIN - VOUT > 300mV，VOUT < 1V -10 10 mV
7.1.10 RBYPASS_H 旁路电阻，高输出电压 2.5V ≤ VIN ≤ 3.6V，VIN ≤ VSYS，IOUT = 400mA，旁路模式 200 mΩ
7.1.11 RBYPASS_L 旁路电阻，低输出电压 1.5V ≤ VIN ≤ 2.5V，VIN ≤ VSYS，IOUT = 400mA，旁路模式 250 mΩ
7.1.12 RLSW_H LSW 电阻，高输出电压 2.5V ≤ VIN ≤ 5.5V，VIN ≤ VSYS，IOUT = 400mA，LSW 模式 200 mΩ
7.1.13 RLSW_L LSW 电阻，低输出电压 1.5V ≤ VIN ≤ 2.5V，VIN ≤ VSYS，IOUT = 400mA，LSW 模式 250 mΩ
7.2.1 VLOAD_TRANSIENT 瞬态负载调整率，ΔVOUT IOUT = IOUT_MAX 的 20% 至 80% 至 20%，tr = tf = 1µs -35 35 mV
7.2.2 VLINE_TRANSIENT 瞬态线性调整率 VIN 阶跃 = 600mVPP，tR = tF = 10µs，LDO 不在压降条件，LDO 模式 -25 25 mV
7.2.3 NOISERMS RMS 噪声 100Hz < f ≤ 100kHz，VIN = 3.3V，VOUT = 1.8V，IOUT = 300mA 600 μVRMS
7.2.4 VRIPPLE 电压纹波 5 mVPP
7.3.1 IOUT_MAX 输出电流 VPVIN_LDOxmin ≤ VIN ≤ VPVIN_LDOxmax，
应用于 LDO 模式、旁路模式和 LSW 模式		 400 mA
7.3.2 ICURRENT_LIMIT 短路电流限制 VIN = 3.6V，VOUT = 0V 600 980 1600 mA
7.3.3 IIN_RUSH_LDO LDO 浪涌电流 LDO 模式，最大 20µF 负载连接至 VLDOx，IOUT = 0mA 或 400mA 1500 mA
7.3.4 IIN_RUSH_LDO_BYP 旁路模式下的 LDO 浪涌电流 旁路模式，最大 50μF 负载连接至 VLDOx 1500 mA
7.3.5 IIN_RUSH_LDO_LSW LSW 模式下的 LDO 浪涌电流 LSW 模式，最大 50μF 负载连接到 VLDOx 1500 mA
7.3.6 RDISCHARGE LDO 输出处的下拉放电电阻 仅在禁用转换器时有效。适用于 LDO、旁路和 LSW 模式 100 200 300 Ω
7.3.7a IQ_ACTIVE_LDO 25°C 时 ACTIVE 状态下的静态电流，
LDO 模式		 LDO 模式，IOUT = 0mA，
TJ = 25°C		 50 62 µA
7.3.7b IQ_ACTIVE_LDO -40°C 至 125°C 时 ACTIVE 状态下的静态电流，
LDO 模式		 LDO 模式，IOUT = 0mA，
TJ = -40°C 至 125°C		 50 65 µA
7.3.7b IQ_ACTIVE_LDO
-40°C 至 150°C 时 ACTIVE 状态下的静态电流，
LDO 模式
 		 LDO 模式，IOUT = 0mA，
TJ = -40°C 至 150°C		 50 66 µA
7.3.8a IQ_ACTIVE_LDO_BYP 25°C 时 ACTIVE 状态下的静态电流，
旁路模式		 旁路模式，IOUT = 0mA，
TJ = 25°C		 43 48 µA
7.3.8b IQ_ACTIVE_LDO_BYP -40°C 至 125°C 时 ACTIVE 状态下的静态电流，
旁路模式		 旁路模式，IOUT = 0mA，
TJ = -40°C 至 125°C		 43 50 µA
7.3.8b IQ_ACTIVE_LDO_BYP
-40°C 至 150°C 时 ACTIVE 状态下的静态电流，
旁路模式
 		 旁路模式，IOUT = 0mA，
TJ = -40°C 至 150°C		 43 50 µA
7.3.9a IQ_ACTIVE_LDO_LSW 25°C 时 ACTIVE 状态下的静态电流，
LSW 模式		 LSW 模式，IOUT = 0mA，
TJ = 25°C		 46 53 µA
7.3.9b IQ_ACTIVE_LDO_LSW -40°C 至 125°C 时 ACTIVE 状态下的静态电流，
LSW 模式		 LSW 模式，IOUT = 0mA，
TJ = -40°C 至 125°C		 46 53 µA
7.3.9b IQ_ACTIVE_LDO_LSW
-40°C 至 150°C 时 ACTIVE 状态下的静态电流，
LSW 模式
 		 LSW 模式，IOUT = 0mA，
TJ = -40°C 至 150°C		 46 54 µA
7.4.1 CIN 输入滤波电容(2) 从 PVIN_LDOx 连接到 GND
适用于 LDO、旁路和 LSW 模式		 1.6 2.2 µF
7.4.2 COUT 输出滤波电容(3) 从 VLDOx 连接到 GND，LDO 模式 1.6 2.2 4 µF
7.4.3 COUT_TOTAL 输出端的总电容（本地 + POL），LDO 模式(4) 1MHz < f < 10MHz 20 µF
7.4.4 COUT_TOTAL_BYP 输出端的总电容（本地 + POL），旁路模式(4) 1MHz < f < 10MHz 50 µF
7.4.5 COUT_TOTAL_LSW 输出端的总电容（本地 + POL），LSW 模式(4) 1MHz < f < 10MHz 50 µF
7.4.6 CESR 滤波电容 ESR 最大值 1MHz < f < 10MHz 10 20 mΩ
时序要求
7.5.1 tRAMP LDO 和旁路模式下的斜坡时间 LDO 从使能到目标值的 98% 测得，LDO 模式或旁路模式，在单独启用时进行测量，假设没有残余电压 950 µs
7.5.2 tRAMP_SLEW LDO 和旁路模式下的斜升压摆率 VOUT 范围为 0.3V 至 VOUT 的 90% 12 mV/µs
7.5.3 tRAMP_LSW 斜坡时间 LSW 模式 从使能到目标值测得，LSW 模式，假设没有残余电压 1250 µs
7.5.4 tRAMP_SLEW LSW 模式下的斜升压摆率 VOUT 范围为 0.3V 至 VOUT 的 90% 12 mV/µs
7.5.5 tTRANS_1P8_3P3 转换时间 1.8V - 3.3V VIN = 4.0V，IOUT = 300mA 2 ms
7.5.6 tTRANS_3P3_1P8 转换时间 3.3V - 1.8V VIN = 4.0V，IOUT = 300mA 2 ms
(1) PVIN_LDOx 不得超过 VSYS
(2) 输入电容器必须尽可能靠近器件引脚放置。
(3) 当向陶瓷电容器施加直流电压时，由于直流偏置效应，有效电容会降低。因此，上表列出了最小电容值。为了满足最小电容要求，也许必须相应地调整电容器的标称值，以便在稳压器输出端的指定直流电压下考虑电容的下降。
(4) 超出指定值的额外电容（包括本地电容和 POL）可能会导致 LDO 变得不稳定
(5) PVIN_LDOx 电压必须在（所配置的 VOUT）和（所配置的 VOUT + 200mV）之间，最大为 3.6V。
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