输入电容 - LDO1、LDO2

LDO 输入需要一个输入去耦电容器，以尽可能减少输入纹波电压。建议每个 LDO 使用典型的 2.2µF 电容。根据 LDO 的输入电压，可以使用 6.3V 或更高额定值的电容器。当 LDO 配置为 LDO、旁路或“负载开关”时，相同的输入电容要求适用。

输出电容 - LDO1、LDO2

LDO 输出需要一个输出电容器，以在负载阶跃或输入电压变化期间保持输出电压。建议对每个 LDO 输出使用 2.2µF 本地电容，ESR 为 10mΩ 或更小。局部电容不得超过 4µF（降额后）。此要求不包括在负载处看到的任何电容，仅指在器件附近看到的电容。每个 LDO 可支持的总电容（本地 + 负载点）取决于 NVM 配置。表 7-3 显示了基于电源轨配置所允许的最大总输出电容。请参阅具体可订购器件型号的技术参考手册 (TRM)，以根据寄存器设置和适用的最大总电容来确定 LDO 配置。