ZHCSR20A November   2023  – June 2024 TPS6522005-EP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  系统控制阈值
    6. 5.6  BUCK1 转换器
    7. 5.7  BUCK2、BUCK3 转换器
    8. 5.8  通用 LDO（LDO1、LDO2）
    9. 5.9  通用 LDO（LDO3、LDO4）
    10. 5.10 GPIO 和多功能引脚（EN/PB/VSENSE、nRSTOUT、nINT、GPO1、GPO2、GPIO、MODE/RESET、MODE/STBY、VSEL_SD/VSEL_DDR）
    11. 5.11 电压和温度监测器
    12. 5.12 I2C 接口
    13. 5.13 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  上电时序
      2. 6.3.2  下电时序
      3. 6.3.3  按钮和使能输入 (EN/PB/VSENSE)
      4. 6.3.4  复位到 SoC (nRSTOUT)
      5. 6.3.5  降压转换器（Buck1、Buck2 和 Buck3）
        1. 6.3.5.1 双随机展频 (DRSS)
      6. 6.3.6  线性稳压器（LDO1 至 LDO4）
      7. 6.3.7  中断引脚 (nINT)
      8. 6.3.8  PWM/PFM 和低功耗模式 (MODE/STBY)
      9. 6.3.9  PWM/PFM 和复位 (MODE/RESET)
      10. 6.3.10 电压选择引脚 (VSEL_SD/VSEL_DDR)
      11. 6.3.11 通用输入或输出（GPO1、GPO2 和 GPIO）
      12. 6.3.12 与 I2C 兼容的接口
        1. 6.3.12.1 数据有效性
        2. 6.3.12.2 启动和停止条件
        3. 6.3.12.3 传输数据
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 运行模式
        1. 6.4.1.1 OFF 状态
        2. 6.4.1.2 INITIALIZE 状态
        3. 6.4.1.3 运行状态
        4. 6.4.1.4 STBY 状态
        5. 6.4.1.5 故障处理
    5. 6.5 多 PMIC 运行
    6. 6.6 NVM 编程
      1. 6.6.1 TPS6522005-EP 默认 NVM 设置
      2. 6.6.2 初始化状态下的 NVM 编程
      3. 6.6.3 运行状态下的 NVM 编程
    7. 6.7 用户寄存器
    8. 6.8 器件寄存器
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 典型应用示例
      2. 7.2.2 设计要求
      3. 7.2.3 详细设计过程
        1. 7.2.3.1 Buck1、Buck2、Buck3 设计过程
        2. 7.2.3.2 LDO1、LDO2 设计过程
        3. 7.2.3.3 LDO3、LDO4 设计过程
        4. 7.2.3.4 VSYS、VDD1P8
        5. 7.2.3.5 数字信号设计过程
      4. 7.2.4 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.3 建议运行条件

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
POS 最小值 标称值 最大值 单位
3.1.1 VVSYS 输入电压 2.5 (1) 5.5 V
3.1.2 VPVIN_B1、VPVIN_B2、
VPVIN_B3
VLX_B1、VLX_B2、
VLX_B3		 BUCKx 引脚 2.5 5.5 (2) V
3.1.3 ΔVVSYS_PVIN_Bx 达到此电压时，VPVIN_Bx 可能超过 VVSYS  0 mV
3.1.4 ΔVVSYS_PVIN_LDO1,LDO2 达到此电压时，VPVIN_LDO1 或 VPVIN_LDO2  可能超过 VVSYS 0 mV
3.1.5 ΔVVSYS_VLDO34 达到此电压时，VVSYS 必须超过 LDO 输出电压（VLDO3、VLDO4）；VVSYS = 2.5V 至 3.45V；LDO 模式 150 mV
3.1.6 ΔVVSYS_VLDO34 达到此电压时，VVSYS 必须超过 LDO 输出电压（VLDO3、VLDO4）；VVSYS = 3.45V 至 5.5V（在 LDO 模式下）或 VVSYS = 2.5V 至 5.5V（在 LSW 模式下）  不适用 mV
3.1.7 CPVIN_B1、CPVIN_B2、
CPVIN_B3		 BUCKx 输入电容 3.9 4.7 µF
3.1.8 LB1、LB2、LB3 BUCKx 输出电感 330 470 611 nH
3.1.9a COUT_B1、COUT_B2、
COUT_B3		 BUCKx 输出电容、强制 PWM 或自动 PFM、低带宽情况 10 75 µF
3.1.9b COUT_B1、COUT_B2、
COUT_B3		 BUCKx 输出电容、固定频率、低带宽情况 12 36 µF
3.1.10a COUT_B1、COUT_B2、
COUT_B3		 BUCKx 输出电容、强制 PWM 或自动 PFM、高带宽情况 30 220 µF
3.1.10b COUT_B1、COUT_B2、
COUT_B3		 BUCKx 输出电容、固定频率、高带宽情况 48 144 µF
3.1.11 VFB_B1、VFB_B2、
VFB_B3		 BUCKx FB 引脚 0 5.5 (2) V
3.1.12 VPVIN_LDO1、VPVIN_LDO2 LDO 输入电压 1.5 5.5 (2) V
3.1.13 VPVIN_LDO1、VPVIN_LDO2 旁路模式下的 LDO 输入电压 1.5 3.6 V
3.1.14 VPVIN_LDO1、VPVIN_LDO2 旁路模式下 VPVIN_LDOx 与配置的 VVLDOx 之间允许的增量 -200 200 mV
3.1.15 VVLDO1、VVLDO2 LDO 输出电压范围 0.6 3.4 V
3.1.16 CPVIN_LDO1、CPVIN_LDO2 LDO 输入电容 1.6 2.2 µF
3.1.17 CVLDO1、CVLDO2 LDO 输出电容 1.6 2.2 20 µF
3.1.18 VPVIN_LDO3、VPVIN_LDO4 LDO 输入电压 2.2 5.5 (2) V
3.1.19 VVLDO3、VVLDO4 LDO 输出电压范围 1.2 3.3 V
3.1.20 CPVIN_LDO34 LDO 输入电容 2.2 4.7 µF
3.1.21 CVLDO3、CVLDO4 LDO 输出电容 1.6 2.2 30 (3) µF
3.1.22 VVDD1P8 VDD1P8 引脚 0 1.8 V
3.1.23 CVDD1P8 内部稳压器去耦电容 1 2.2 4 µF
3.1.24 CVSYS VSYS 输入去耦电容 1 2.2 µF
3.1.25 VnINT、VnRSTOUT 数字输出 0 3.4 V
3.1.26 VGPO1、VGPO2、VGPIO 数字输出 0 5.5 (2) V
3.1.27 VSCL、VSDA I2C 接口 0 3.4 V
3.1.28 VEN/PB/VSENSE、VMODE/STBY、
VMODE/RESET、
VVSEL_SD/VSEL/DDR		 数字输入 0 5.5 (2) V
3.2.1 tVSYS_RAMP_RISE 输入电压斜升时间、输入电压由前置稳压器控制。  VVSYS = VPVIN_Bx = VPVIN_LDOx = 0V 至 5V
 0.1 600000 ms
3.2.2 tVSYS_RAMP_FALL 输入电压斜降时间，VVSYS = VPVIN_Bx = VPVIN_LDOx = 5V 至 2.5V 0.4 600000 ms
3.3.1 TA  自然通风条件下的工作温度范围 -55 125 °C
3.3.2 TJ  工作结温 -55 150 °C
(1) 对于 EEPROM 编程，VSYS(min)=3.3V
(2) 不得超过 VSYS
(3) 在慢速斜坡模式下。快速斜坡最大支持 15µF
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