尽管不需要输入电容器来实现稳定性，但良好的模拟设计实践是将电容器从 IN 连接到 GND。该电容可抵消电抗性输入源，并改善瞬态响应、输入纹波和 PSRR。如果源阻抗大于 0.5Ω，请使用输入电容器。如果预计会有较大且快速的上升时间负载或线路瞬变，请使用更高容值的电容。此外，如果器件距离输入电源几英寸，请使用容值更高的电容器。

与大多数低压降稳压器一样，TPS769-Q1 需要在 OUT 和 GND 之间连接一个输出电容器，以稳定内部控制环路。

对于旧芯片，该器件需要在 OUT 和 GND 之间连接一个输出电容器，以稳定内部控制环路。建议的最小电容为 4.7µF。确保电容器的等效串联电阻 (ESR) 介于 0.2Ω 和 10Ω 之间，以提供稳定性。大于 4.7µF 的电容值是可接受的，并且允许使用更小的 ESR 值。不建议使用小于 4.7µF 的电容，因为这些元件需要仔细选择 ESR 来提供稳定性。固态钽电解电容器、铝电解电容器和多层陶瓷电容器都适用，前提是这些电容器满足所述的要求。市售 4.7µF 表面贴装固态钽电容器（包括 Sprague、Kemet 和 Nichico 的器件）大多符合上述 ESR 要求。多层陶瓷电容器可能具有非常小的等效串联电阻，因此需要添加一个低值串联电阻器来提供稳定性。

对于新芯片，该器件被设计为在输入和输出端使用低 ESR 陶瓷电容器实现稳定性。最小建议电容值为 2.2μF，ESR 范围高达 2Ω。支持的 ESR 范围取决于输出电容、工作结温和负载电流条件。节 5.8 介绍了在支持的负载电流范围内、与整个温度范围内的输出电容相关的支持的 ESR 范围。

通过使用输出电容器来提升器件的动态性能。为确保稳定性，请使用建议运行条件 表中指定范围内的输出电容器。