ZHCSVE9E December   2001  – July 2024 TPS769-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 耗散额定值(旧芯片)
    6. 5.6 电气特性
    7. 5.7 典型特性
    8. 5.8 典型特性:支持的 ESR 范围
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输出使能
      2. 6.3.2 压降电压
      3. 6.3.3 电流限制
      4. 6.3.4 欠压锁定 (UVLO)
      5. 6.3.5 输出下拉电阻
      6. 6.3.6 热关断
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行
      2. 6.4.2 压降运行
      3. 6.4.3 禁用
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 可调器件反馈电阻器
        2. 7.2.2.2 建议的电容器类型
        3. 7.2.2.3 输入和输出电容器要求
        4. 7.2.2.4 反向电流
        5. 7.2.2.5 前馈电容器 (CFF)
        6. 7.2.2.6 功率耗散 (PD)
        7. 7.2.2.7 估算结温
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 评估模块
        2. 8.1.1.2 Spice 模型
        3. 8.1.1.3 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DBV|5
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

电气特性

规定 TJ = –40°C 至 125°C、VIN = VOUT(nom) + 1.0V 或 VIN = 2.5V(以较大者为准)、IOUT = 10µA、EN = 0V、CIN = 1.0µF、COUT = 2.2µF(除非另有说明);典型值在 TJ = 25ºC 条件下测得
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
VOUT 输出电压 可调节,旧芯片 1.2V ≤ VOUT ≤ 5.5V,10µA ≤ IOUT ≤ 100mA,TJ = 25°C VOUT V
1.2V ≤ VOUT ≤ 5.5V,10µA ≤ IOUT ≤ 100mA 0.97 × VOUT 1.03 × VOUT
固定,旧芯片 10µA ≤ IOUT ≤ 100mA,TJ = 25°C,VOUT(nom) + 1V < VIN < 10V VOUT
10µA ≤ IOUT ≤ 100mA,VOUT(nom) + 1V < VIN < 10V 0.97 × VOUT 1.03 × VOUT
新芯片 10µA ≤ IOUT ≤ 100mA,VOUT(nom) + 1V < VIN < 16V 0.988 × VOUT 1.012 × VOUT
VFB 反馈电压 旧芯片 1.224 V
新芯片 1.2
IQ 静态电流(GND 电流) 旧芯片 EN = 0V,0mA ≤ IOUT ≤ 100mA,TJ = +25°C 17 µA
EN = 0V,IOUT = 100mA 28
新芯片 EN = 0V,IOUT = 0mA(可调节) 50 80
EN = 0V,IOUT = 0mA(固定) 55 95
EN = 0V,IOUT = 100mA 620
ΔVOUT(ΔVOUT) 输出电压线性调整率 (ΔVOUT/VOUT) 旧芯片 VOUT(NOM) +1.0V ≤ VIN ≤ 10V,IOUT = 100mA,TJ = 25℃ 0.04 %/V
0.032
新芯片 VOUT(NOM) +1.0V ≤ VIN ≤ 16V,IOUT = 10µA 0.032
ΔVOUT(ΔIOUT) 输出电压负载调整率 旧芯片 0mA ≤ IOUT ≤ 100mA,TJ = 25°C 12 mV
新芯片 20
Vn 输出噪声电压 旧芯片 BW = 300Hz 至 50kHz,COUT = 10µF,TJ = 25℃ 190 µVRMS
新芯片 BW = 300Hz 至 50kHz,IOUT = 100mA,COUT = 4.7µF 165
BW = 10Hz 至 100kHz,IOUT = 100mA,COUT = 4.7µF 195
TSD(shutdown) 热关断温度 新芯片 温度升高 173 ºC
TSD(reset) 热关断复位温度 新芯片 温度下降 157 ºC
ICL 输出电流限制 旧芯片 VOUT = 0V 350 750 mA
新芯片 370 450
ISTANDBY 待机电流 旧芯片 EN = VIN,2.7V < VIN < 10V 1 µA
EN = VIN,2.7V < VIN < 10V 2
新芯片 EN = VIN,2.5V < VIN < 16V 0.9
EN = VIN,2.5V < VIN < 16V 2.75
IFB 反馈引脚电流 旧芯片 VFB = 1.224V -1 1 µA
新芯片 VFB = 1.2V -0.1 0.1
EN 高电平使能输入电压 旧芯片 2.7V ≤ VIN ≤ 10V 1.7 V
低电平使能输入电压 0.9
高电平使能输入电压 新芯片 2.5V ≤ VIN ≤ 16V 1.6
低电平使能输入电压 0.415
PSRR 电源纹波抑制 旧芯片 IOUT = 100mA,f = 1kHz,COUT = 10µF,TJ = 25℃ 60 dB
新芯片 IOUT = 100mA,f = 1kHz,COUT = 4.7µF,TJ = 25℃ 58
IEN 输入电流 (EN) 旧芯片 EN = 0V -1 0 1 µA
EN = VIN -1 1
新芯片 EN = 0V -0.75 -0.4 0.02
EN = 6V -0.01 0.01
VDO 压降电压 TPS76928-Q1(旧芯片) IOUT = 50mA 60 mV
IOUT = 50mA,TJ = –40℃ 至 125℃ 125
IOUT = 100mA 122
IOUT = 100mA,TJ = –40℃ 至 125℃ 245
TPS76928-Q1(新芯片) IOUT = 50mA 120
IOUT = 50mA,TJ = –40℃ 至 125℃ 184
IOUT = 100mA 150
IOUT = 100mA,TJ = –40℃ 至 125℃ 218
TPS76930-Q1(旧芯片) IOUT = 50mA 57
IOUT = 50mA,TJ = –40℃ 至 125℃ 115
IOUT = 100mA 115
IOUT = 100mA,TJ = –40℃ 至 125℃ 230
TPS76930-Q1(新芯片) IOUT = 50mA 120
IOUT = 50mA,TJ = –40℃ 至 125℃ 184
IOUT = 100mA 150
IOUT = 100mA,TJ = –40℃ 至 125℃ 218
TPS76933-Q1(旧芯片) IOUT = 50mA 48
IOUT = 50mA,TJ = –40℃ 至 125℃ 100
IOUT = 100mA 98
IOUT = 100mA,TJ = –40℃ 至 125℃ 200
TPS76933-Q1(新芯片) IOUT = 50mA 120
IOUT = 50mA,TJ = –40℃ 至 125℃ 184
IOUT = 100mA 150
IOUT = 100mA,TJ = –40℃ 至 125℃ 218
TPS76950-Q1(旧芯片) IOUT = 50mA 35
IOUT = 50mA,TJ = –40℃ 至 125℃ 85
IOUT = 100mA 71
IOUT = 100mA,TJ = –40℃ 至 125℃ 170
TPS76950-Q1(新芯片) IOUT = 50mA 120
IOUT = 50mA,TJ = –40℃ 至 125℃ 184
IOUT = 100mA 150
IOUT = 100mA,TJ = –40℃ 至 125℃ 218
VUVLO+ 上升辅助电源 UVLO TPS769-Q1(新芯片) VIN 上升,–40℃ ≤ TJ ≤ 125℃ 2.2 2.4 V
VUVLO– 下降辅助电源 UVLO VIN 下降,–40℃ ≤ TJ ≤ 125℃ 1.9 2.07
VUVLO(HYST) UVLO 迟滞 –40°C ≤ TJ ≤ 125°C 0.130