电气特性中列出的大多数规格都使用自动测试设备 (ATE) 进行测试。因此，可在辐照前和辐照后条件下轻松测试这些规格。此外，这些规格通常是 RLAT（辐射批次验收测试）流的一部分。但是，某些规格很难在 ATE 上进行测量（例如，由于具有高增益或对寄生效应敏感），因此仅在基准特性描述期间进行测量。通常，这些规格不是在辐照后测量。

PSRR、噪声和稳定性是使用 ATE 时未涵盖的关键规格，因此不属于传统 RLAT 流。为了提供这些关键规格的额外信息，对三个 EVM 执行了一次性特性描述。在 100krad(Si) 的高剂量率 (HDR) 下偏置和暴露这三个 EVM。

所有 PSRR、噪声和稳定性测量在辐照条件下结果良好。概括如下：

• 在 100Hz 至 1kHz 范围内，在承受 TID 后测得的 PSRR 略有降低。器件 1 显示在承受 TID 后大约降低 10dB；但由于难以测量如此高的增益，因此认为是由与设置相关的问题所致。在任何情况下，PSRR 在此范围内仍然极高 (> 95dB)。
• 在 100Hz 以下和 1kHz 以上，在承受 TID 后测得的 PSRR 略有降低。
• 在 10Hz 至 10kHz 范围内，测得的噪声逐渐升高。
• 在 10Hz 以下和 100kHz 以上，噪声的测量结果大致相同。
• 承受 TID 之后，计算出的 RMS 噪声平均高出 120nV_RMS。
• 平均相位裕度幅度漂移约为 7°。对于所有之前和之后的测量，相位裕度都保持高位。
• 平均增益裕度幅度漂移约为 2dB。这种变化被认为很小，并且可能在测量误差范围内。

完整数据如下。除非另有说明，否则 EVM 条件为 V_IN = 2.5V，V_OUT = 1.8V，V_BIAS = 5V，C_OUT = 2x100µF（请参阅表 9-4），C_SS = 4.7µF，R_REF = 12.0kΩ，R_BIAS = 10Ω，C_BIAS = 4.7µF，T_A = 25°C，10Hz 至 100kHz 带宽下报告的积分噪声。

图 9-6 PSRR，I_OUT = 100mA

图 9-8 噪声频谱密度，
I_OUT = 100mA

辐照前：相位裕度 = 78°，增益裕度 = 24dB

辐照后：相位裕度 = 82°，增益裕度 = 23dB

图 9-10 波特图：器件 1，I_OUT = 100mA

辐照前：相位裕度 = 81°，增益裕度 = 23dB

辐照后：相位裕度 = 76°，增益裕度 = 26dB

图 9-12 波特图：器件 2，I_OUT = 100mA

辐照前：相位裕度 = 78°，增益裕度 = 24dB

辐照后：相位裕度 = 81°，增益裕度 = 21dB

图 9-14 波特图：器件 3，I_OUT = 100mA

图 9-7 PSRR，I_OUT = 1A

图 9-9 噪声频谱密度，I_OUT = 1A

辐照前：相位裕度 = 91°，增益裕度 = 18dB

辐照后：相位裕度 = 100°，增益裕度 = 16dB

图 9-11 波特图：器件 1，I_OUT = 1A

辐照前：相位裕度 = 96°，增益裕度 = 17dB

辐照后：相位裕度 = 88°，增益裕度 = 19dB

图 9-13 波特图：器件 2，I_OUT = 1A

辐照前：相位裕度 = 90°，增益裕度 = 18dB

辐照后：相位裕度 = 101°，增益裕度 = 15dB

图 9-15 波特图：器件 3，I_OUT = 1A