在开始 TPS7H3301-SP 布局设计之前，请考虑以下几点。

• VLDOIN 的输入旁路电容器应尽可能靠近引脚放置，并具有短而宽的连接。
• VTT/V_O 的输出电容器应靠近引脚放置，并具有短而宽的连接，从而避免额外的 ESR 和/或 ESL 引线电感。
• VTTSNS 应连接到 VTT/V_O 输出电容器的正节点，作为与高电流电源线分离的布线。强烈建议使用此配置，以避免额外的 ESR 和/或 ESL。如果需要检测负载点的电压，建议在该点连接一个或多个输出电容器。此外，建议尽量减少 GND 引脚和输出电容器之间接地引线的任何额外 ESR 和/或 ESL。
• 如果 VTT/V_O 输出电容器的 ESR 大于 2mΩ，请考虑在 VTTSNS 处添加低通滤波器。
• VDDQSNS 可与 VLDOIN 分开连接。请记住，该检测电势是 VTTREF 的基准电压。避免任何产生噪声的线路。
• VTT/V_O 输出电容器的负节点和 VTTREF 电容器应连接在一起，避免出现连接到 VTT/V_O 灌电流和拉电流的高电流路径的公共阻抗。
• GND 和 PGND 引脚应连接到芯片焊盘下方的导热焊盘，并通过多个过孔连接到内部系统接地平面（为了获得更好的结果，至少使用两个内部接地平面）。使用尽可能多的过孔来减小 PGND/GND 与系统接地平面之间的阻抗。此外，将大容量电容器放置在靠近 DIMM/模块或存储器负载点的位置并将 VTTSNS 路由至 DIMM/模块负载检测点。
• 为了有效地去除封装中的热量，请适当地准备导热焊盘。将焊料直接涂在封装的散热焊盘上。元件的宽布线和连接到导热焊盘的侧覆铜有助于散热。还应使用连接在导热焊盘与内部/焊接面接地平面之间的多个直径为 0.33mm 或更小的过孔，以帮助散热。