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ZHCSEJ1C December 2015 – September 2024 TPS7H3301-SP

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

HKR|16
- MCDF012C

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

6.5 电气特性

在整个温度范围内，T_A = –55°C 至 125°，VDD/V_IN = 3.3V 和 2.375V（VDD/V_IN > VLDOIN 时），VLDOIN = 1.8V，VDDQSNS = 1.8V，VTTSNS = 0.9V，EN = VDD/V_IN，标准 DDR 应用（除非另有说明）。除非另有说明，否则所有电压值都以网络接地 (AGND) 引脚为基准。

参数		测试条件		最小值	典型值	最大值	单位
电源电流
I_VDD/Vin	电源电流	EN = 3.3V，空载			18	30	mA
I_VDD(SDN)	关断电流	EN = 0V，VDDQSNS = 0，空载			3	5	mA
I_VDD(SDN)	关断电流	EN = 0V，VDDQSNS > 0.78V，空载			6.5	8	mA
I_VLDOIN	VLDOIN 的电源电流	EN = 3.3V，空载			575	1200	μA
I_VLDOIN(SDN)	VLDOIN 的关断电流	EN = 0V，空载			50	100	μA
输入电流
I_VDDQSNS	输入电流，VDDQSNS	EN = 3.3V			4	6	μA
V_TT/V_O 输出
VTTSNS	输出直流电压，V_TT/V_O	I_VTT = 5mA	VDDQSNS = VLDOIN 2.5V (DDR1)	1.219	1.25	1.276	V
			VDDQSNS = VLDOIN 1.8V (DDR2)	0.889	0.9	0.921
			VDDQSNS = VLDOIN 1.5V (DDR3)	0.743	0.75	0.769
			VDDQSNS = VLDOIN 1.35V (DDR3L)	0.668	0.67	0.691
			VDDQSNS = VLDOIN 1.2V (DDR4)	0.593	0.6	0.617
		I_VTT = -5mA	VDDQSNS = VLDOIN 2.5V (DDR1)	1.22	1.25	1.272	V
			VDDQSNS = VLDOIN 1.8V (DDR2)	0.89	0.9	0.923
			VDDQSNS = VLDOIN 1.5V (DDR3)	0.744	0.75	0.767
			VDDQSNS = VLDOIN 1.35V (DDR3L)	0.669	0.675	0.691
			VDDQSNS = VLDOIN 1.2V (DDR4)	0.594	0.6	0.616
		-1A ≤ I_VTT ≤ 1A	VDDQSNS = VLDOIN 2.5V (DDR1)	1.219	1.26	1.301	V
			VDDQSNS = VLDOIN 1.8V (DDR2)	0.879	0.91	0.933
			VDDQSNS = VLDOIN 1.5V (DDR3)	0.734	0.76	0.781
			VDDQSNS = VLDOIN 1.35V (DDR3L)	0.655	0.69	0.708
			VDDQSNS = VLDOIN 1.2V (DDR4)	0.58	0.6	0.633
V_DO	压降电压， V_DO = VLDOIN - VTTREF。 V_DO（ VTTREF - VTT = 50mV 时记录）	VDDQSNS = 2.5V (DDR1)	I_VTT = 0.5A		50	230	mV
			I_VTT = 1A		101	300
			I_VTT = 2A		209	400
		VDDQSNS = 1.8V (DDR2)	I_VTT = 0.5A		54	230
			I_VTT = 1A		108	300
			I_VTT = 2A		228	400
		VDDQSNS = 1.5V (DDR3)	I_VTT = 0.5A		52	230
			I_VTT = 1A		104	300
			I_VTT = 2A		216	400
		VDDQSNS = 1.35V (DDR3)	I_VTT = 0.5A		50	230
			I_VTT = 1A		102	300
			I_VTT = 2A		212	400
		VDDQSNS = 1.2V (DDR4)	I_VTT = 0.5A		50	230
			I_VTT = 1A		102	300
			I_VTT = 2A		210	400
VTT/V_O(TOL)	输出电压相对于 VTTREF 的容差	I_VTT/VO = –3A，在整个 VDD/V_IN 电压范围内		12	25	34	mV
VTT/V_O(TOL)	输出电压相对于 VTTREF 的容差	I_VTT/VO = 3A，在整个 VDD/V_IN 电压范围内		-34	-25	-12	mV
I_VOSRCL	VTT/V_O 拉电流限值	将输出从 0A 斜升至 10A，当 VTT 达到最低值时记录电流		3.25		8	A
I_VOSNCL	VTT/V_O/VTT 灌电流限值	将输出从 0A 斜降至 -10A，当 VTT 达到最高值时记录电流		3.5		10	A
R_DSCHRG	放电阻抗	VDDQSNS = 0V，VTT/V_O = 0.3V，EN = 0V			18	25	Ω
电源正常比较器
V_TH(PG)	VTT/V_O PGOOD 阈值	相对于 V_VTTREF 的 PGOOD 窗口阈值下限（下降）		-23.5%	-20%	-17.5%
		相对于 V_VTTREF 的 PGOOD 窗口阈值上限（上升）		17.5%	20%	23.5%
		PGOOD 迟滞			5%
T_PGSTUPDLY	PGOOD 启动延迟	启动上升沿，VTTSNS 处于 V_VTTREF 的 15% 以内			2		ms
V_PGOODLOW	输出低电压	I_SINK = 4mA				0.4	V
T_PBADDLY	PGOOD 不良延迟	VTTSNS 超出 ±20% PGOOD 窗口			1		μs
I_PGOODLK	漏电流	VTTSNS = VTTREF（PGOOD 高阻抗）， PGOOD = VDD/_IN + 0.2V				1	μA
VDDQSNS 和 VTTREF 输出
V_{VDDQSNS_UVLO}	VDDQSNS 欠压锁定	V_DDQSNS 上升			780		mV
V_VDDQSNSUVHYS	VDDQSNS 欠压锁定迟滞				20		mV
V_VTTREF	VTTREF 电压			VDDQSNS/2			V
VTTREF_{(load_reg)}	负载调整率 ΔVTTREF	–10mA < I_VTTREF < 10mA	VDDQSNS = 2.5V	-15		15	mV
			VDDQSNS = 1.8V	-15		15
			VDDQSNS = 1.5V	-15		15
			VDDQSNS = 1.35V	-15		15
			VDDQSNS = 1.2V	-15		15
VTTREF_accuracy	VTTREF 电压相对于 VDDQSNS 的容差	–10mA < I_VTTREF < 10mA	VDDQSNS = 2.5V	49%		51%
			VDDQSNS = 1.8V	49%		51%
			VDDQSNS = 1.5V	49%		51.25%
			VDDQSNS = 1.35V	49%		51.5%
			VDDQSNS = 1.2V	49%		51.5%
		–3mA < I_VTTREF < 3mA	VDDQSNS = 1.5V	49%		51%
			VDDQSNS = 1.35V	49%		51%
			VDDQSNS = 1.2V	49%		51%
I_VTTREFSRCL	V_VTTREF 拉电流限值	拉电流从 0A 斜升至 55mA。VTTREF 下降至其原始值的一半时找到。		10	40		mA
I_VTTREFSNCCL	V_VTTREF 灌电流限值	灌电流从 0A 斜升至 16.5mA。VTTREF 达到峰值时找到。		12	15		mA
I_VTTREFDIS	VTTREF 放电电流	EN = 0V，VDDQSNS = 0V，VTTREF = 0.5V			1.3		mA
UVLO/EN 逻辑阈值
V_VINUVVIN	UVLO 阈值	唤醒			2.18	2.25	V
V_VINUVVINHYS	UVLO 阈值迟滞	迟滞			50		mV
V_ENIH	高电平输入电压	启用		1.7			V
V_ENIL	低电平输入电压	启用				0.3	V
V_ENYST	迟滞电压	启用			0.5		V
I_ENLEAK	逻辑输入漏电流	EN		-1		1	μA
热关断
T_SON	热关断阈值	关断温度			210		°C
T_SON	热关断阈值	迟滞			12		°C