1 特性

• QML V 类符合 5962-14228⁽¹⁾⁽²⁾
  • 总电离剂量为 100krad (Si)
    • 高剂量率 (HDR) (50-100 rad(Si)/s)
    • 低剂量率 (LDR) (0.01 rad(Si)/s)
  • 单粒子锁定 (SEL)、单粒子栅穿 (SEGR)、单粒子烧毁 (SEB) 对于线性能量传输 (LET) 的抗扰度 = 65MeV-cm²/mg
  • 单粒子瞬变 (SET)、单粒子功能中断 (SEFI)、单粒子翻转 (SEU) 的抗扰度为 65MeV-cm²/mg（详细信息请参见辐射报告）
• 支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3LP 和 DDR4 终端 应用 并兼容 JEDEC 标准
• 输入电压：支持 2.5V 和 3.3V 电源轨⁽³⁾
• 独立低电压输入 (VLDOIN) 降至
  0.9V 以改善电源效率⁽³⁾
• 具有压降补偿功能的 3A 灌电流/拉电流终端稳压器
• 用于电源排序的使能输入和电源正常输出
• VTT 终端稳压器
  • 输出电压范围：0.5V 至 1.75V
  • 3A 灌电流和拉电流
  • 精度为 ±20mV
• 具有感测输入的精密集成分压器网络
• 远程感测 (VOSNS)
• VTTREF 缓冲参考输出
  • 精度为 VDDQ/2 ± 1%
  • ±10mA 灌/拉电流
• 集成了内置软启动 (SS)、欠压锁定 (UVLO) 以及过流限制 (OCL) 功能

2 应用

• 采用 DDR、DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 和 DDR4 存储器的 单电路板计算机、固态记录器和载荷 应用
• 超快速瞬态电源 应用
• 支持军用温度范围（-55°C 至 125°C）
• 提供工程评估 (/EM) 组件⁽⁴⁾

3 说明

TPS7H3301-SP 是一款内置 VREF 的 TID 和单粒子效应 (SEE) 抗辐射加固型双倍数据速率 (DDR) 3A 终端稳压器。该稳压器专门用于为空间 DDR 终端应用 （如单电路板计算机、固态记录器和载荷处理应用） 提供一套完整的紧凑型、低噪声解决方案。

TPS7H3301-SP 支持并兼容 DDR、DDR2、DDR3、DDR4 以及相关的低功耗 JEDEC 规范。凭借快速瞬态响应，TPS7H3301-SP VTT 稳压器可在读取/写入状态下提供稳定性较高的电源。TPS7H3301-SP 还包含一个内置的 VREF 电源。该电源可跟踪 VTT 以进一步缩减解决方案尺寸。在瞬态变化过程中，VREF 电源的快速跟踪功能能够最大限度地降低 VTT 和 VREF 之间的电压偏移。请参见说明 （续）。

1. 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
2. 抗辐射加固保障 (RHA) 当前可达 100krad；详细信息请联系制造商。
3. 适用于 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 DDR 的标称输入电压 = 3.3V。V_{INDDR1 的} 为 2.95V 至 3.5V，所有 DDR 的 V_LDOIN > V_TT。
   DDR2 3A 负载条件下的 Vin 为 2.45V 至 3.5V。
   Vin 余量：V_{in_min} ≥ V_TT + 1.5V
4. 这些部件仅用于工程评估。以非合规性流程对其进行了处理（即未进行老化处理等操作）并且仅在 25°C 的额定温度下进行了测试。这些部件不适用于质检、生产、辐射测试或飞行。这些零部件无法在 –55°C 至 125°C 的完整 MIL 额定温度范围内或运行寿命中保证其性能。

标准 DDR 应用

4 修订历史记录