有时，HS1 电流限值不足以保护器件。例如，短路可能会非常激进，即使高侧仅在最短导通时间 t_ON 内开启，电流也会继续上升。为降低这种风险，TPS7H4011 实施了高侧过流保护 2 (HS2) 形式的次级过流保护。

当通过高侧 MOSFET 的电流达到或超过 I_{OC_HS2} 时，达到 HS2 电流限值。为了防止电流持续增加，将跳过接下来的四个高侧周期，而低侧 MOSFET 保持导通状态，以便对电感器进行放电。图 8-18 展示了此操作的简化波形。

图 8-18 高侧 2 过流保护

正如 ILIM 引脚上的电压会设置高侧 1 电流限值一样，它也会设置高侧 2 电流限值。表 8-5 展示了使用与表 8-4 中的高侧 1 电流限制值相同的建议电阻分压器值而得到的高侧 2 电流限制值。