ZHCSVV3A April   2024  – August 2024 TPS7H4011-SP

PRODMIX  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件选项表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 质量合格检验
    7. 6.7 典型特性
  8. 参数测量信息
  9. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  VIN 和功率 VIN 引脚(VIN 和 PVIN)
      2. 8.3.2  电压基准
      3. 8.3.3  遥感和设置 VOUT
        1. 8.3.3.1 最小输出电压
        2. 8.3.3.2 最大输出电压
      4. 8.3.4  使能
      5. 8.3.5  故障输入 (FAULT)
      6. 8.3.6  电源正常 (PWRGD)
      7. 8.3.7  可调开关频率和同步
        1. 8.3.7.1 内部时钟模式
        2. 8.3.7.2 外部时钟模式
        3. 8.3.7.3 初级-次级同步
      8. 8.3.8  导通行为
        1. 8.3.8.1 软启动 (SS_TR)
        2. 8.3.8.2 安全启动至预偏置输出电压
        3. 8.3.8.3 跟踪和时序控制
      9. 8.3.9  保护模式
        1. 8.3.9.1 过流保护
          1. 8.3.9.1.1 高侧 1 过流保护 (HS1)
          2. 8.3.9.1.2 高侧 2 过流保护 (HS2)
          3. 8.3.9.1.3 COMP 关断
          4. 8.3.9.1.4 低侧过流灌电流保护
        2. 8.3.9.2 输出过压保护 (OVP)
        3. 8.3.9.3 热关断
      10. 8.3.10 误差放大器和环路响应
        1. 8.3.10.1 误差放大器
        2. 8.3.10.2 功率级跨导
        3. 8.3.10.3 斜率补偿
        4. 8.3.10.4 频率补偿
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1  运行频率
        2. 9.2.2.2  输出电感器选择
        3. 9.2.2.3  输出电容器选型
        4. 9.2.2.4  输入电容器选型
        5. 9.2.2.5  软启动电容器选型
        6. 9.2.2.6  上升 VIN 设定点(可配置 UVLO)
        7. 9.2.2.7  输出电压反馈电阻器选择
        8. 9.2.2.8  输出电压精度
        9. 9.2.2.9  斜率补偿要求
        10. 9.2.2.10 补偿元件选择
        11. 9.2.2.11 肖特基二极管
      3. 9.2.3 应用曲线
      4. 9.2.4 并联运行补偿
      5. 9.2.5 反相降压/升压转换器
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 第三方米6体育平台手机版_好二三四免责声明
      2. 10.1.2 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 机械数据

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • HLB|30
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
低侧过流灌电流保护

低侧 MOSFET 可以从负载灌入电流(例如在轻负载运行期间)。在某些情况下(例如,高电流负载突然移除或 VOUT 升高到设置点以上),低侧灌电流可能会过大。因此,提供了低侧过流灌电流保护。

如果超出低侧灌电流限值,则低侧 MOSFET 会立即关闭并在该时钟周期的剩余时间内保持这一状态。在这种情况下,两个 MOSFET 都会关闭,直到下一个周期开始为止。当低侧 MOSFET 关断时,开关节点电压升高并正向偏置高侧 MOSFET 并联体二极管(在此阶段,高侧 MOSFET 仍处于关断状态)。