该器件实现了电流模式控制，可使用 COMP 引脚电压逐周期控制高侧 MOSFET 的关断和低侧 MOSFET 的导通。在每个周期内，开关电流都会和 COMP 引脚电压产生的电流基准进行比较。当峰值开关电流达到编程的高侧电流 I_{OC_HS1} 时，高侧开关立即关断（但高侧将至少在最短导通时间 t_ON 内导通）。

HS1 是利用 COMP 电压实现的。当器件接近 I_{OC_HS1} 时，COMP 增加，导致器件的 g_mps 接近零。因此，当 COMP 值足够高时，输出电流基本上被钳位到所选值。图 8-17 的简化波形中显示了此功能。

图 8-17 高侧 1 过流保护

高侧 1 过流保护 (HS1) 阈值可通过利用 ILIM 引脚在四种不同的电流限值之间进行选择。通过将电流限制到特定值，可以适当调整电感器的大小以处理最大电流。

过流限值由 ILIM 引脚上的电压以 AVDD（LDOCAP 输出）的百分比的形式进行编程。因此，从 AVDD 到 GND 的电阻分压器应馈送 ILIM。表 8-4 显示了建议使用的电阻分压器值。其他使用相同比率的值也是可以接受的。表 8-4 还显示了所选电流限值的建议最大直流输出电流（但支持的精确输出电流大小取决于给定配置的纹波电流）。