ZHCSPV4A January 2023 – October 2023 TPSF12C3-Q1
PRODUCTION DATA
9.2.1.3 应用曲线
除非另有说明，否则 VVDD = VEN = 12V。
注： 高 DM 噪声特征可能会掩盖与 AEF 相关的 CM 噪声性能的改善。减少 CM 扼流圈电感也可能减少漏电感，从而影响 DM 噪声衰减。根据需要，安装更高的 X 电容或分立式 DM 滤波电感器来管理 DM 衰减。另外，使用 DM-CM 噪声分离器来隔离测得的总噪声的 CM 分量。
图 9-5 AEF 导通和关断（EN 连接高电平和低电平）时的 EMI 降噪结果
图 9-6 IEC 61000-4-5 正浪涌，5kV 单次冲击 – 1µs/div (a)，200µs/div (b)
图 9-7 IEC 61000-4-5 负浪涌，5kV 单次冲击 – 1µs/div (a)，200µs/div (b)
图 9-8 IEC 61000-4-5 浪涌，以 10 秒为间隔的 5kV 重复冲击 – 正 (a)，负 (b)
注： 浪涌测试电路使用 MOV (Littelfuse V20E300P)，它们从线路和中性滤波器输入端连接到机箱接地。请参阅图 9-11。