图 9-3 所示为采用传统两级无源 EMI 滤波器的 10kW 高密度交流/直流稳压器的原理图。CM 扼流圈和 Y 电容器提供 CM 滤波，而 CM 扼流圈和 X 电容器的漏电感提供 DM 滤波。与 TI 参考设计 TIDA-01606 类似，该电路使用具有 SiC 功率 MOSFET 的三相功率因数校正 (PFC) 级。

PFC 级以 100kHz 的固定开关频率运行。尽管使用 GaN 或 SiC 电源开关可实现高功率密度，但传统的无源 EMI 滤波器通常占据整个解决方案尺寸的 20% 以上。

图 9-1 采用传统两级无源 EMI 滤波器的三相交流/直流稳压器的电路原理图

交流/直流级会根据 SiC 电源开关的高 dv/dt 以及到机箱接地的各种开关节点寄生电容，增加 CM EMI 特征。

本应用示例使用 TPSF12C3 将图 9-3 中指定为 C_Y1、C_Y2、C_Y3 和 C_Y4 的四个 Y 电容器替换为三相 AEF 电路。请参阅图 9-3。AEF 电路提供注入电容器的有效电容倍增，这会降低电感值以维持目标 LC 转角频率，进而降低 CM 扼流圈（现在指定为 L_CM1-AEF 和 L_CM2-AEF）的尺寸、重量和成本。检测和注入电容器的总电容保持小于或等于替换后的 Y 电容器的总电容，从而使总的线路频率漏电流实际上保持不变或降低。

图 9-2 连接了 AEF 电路的三相稳压器的电路原理图