1 特性

符合汽车应用要求
- AEC-Q100 等级 1：–40°C 至 125°C，T_A
集成雪崩额定 MOSFET
- 针对电介质耐压测试 (Hi-Pot) 可靠性进行设计和认证
  - I_AVA = 2mA（5s 脉冲），1mA（60s 脉冲）
  - V_{HIPOT, 5-s} = 4300V，R_series > 1.83MΩ
  - V_{HIPOT, 5-s} = 2850V，R_series > 1.1MΩ
- 600V 关断电压
- R_ON = 65Ω (T_J = 25°C)
- 当电压为 500V (T_J = 105°C) 时，I_OFF = 1μA
低初级侧电源电流
- 5mA 单通道、9mA 双通道导通状态电流
功能安全型
- 可帮助进行 ISO 26262 和 IEC 61508 系统设计的文档
稳健可靠的隔离栅：
- 在 1000V_RMS/1500V_DC 工作电压下预计寿命超过 26 年
- 隔离额定值 V_ISO 高达 3750V_RMS/5300V_DC
SOIC 11 引脚 (DWQ) 封装，具有宽引脚，可提高热性能
- 爬电距离和间隙 ≥ 8mm（初级-次级）
- 爬电距离和间隙 ≥ 3mm（开关端子之间）
安全相关认证
- （计划）DIN VDE V 0884-11:2017-01
- （计划）UL 1577 组件认证计划