TPSI310x-Q1、TPSI311x-Q1、TPSI312x-Q1 和 TPSI3133-Q1 系列包含输出驱动器上的禁止电路。禁止电路的目的是将栅极电压钳位在可接受的电平以下，以防止外部电源开关在次级电源轨未供电时导通。禁止电路可用于替代或大幅降低外部电源开关上外部释放电阻器的要求。

图 8-9 显示了禁止电路的简化原理图。晶体管 MP1 和 MN1 构成了提供栅极电流来驱动外部电源开关 (M1) 的驱动器。当次级侧未供电时，从 MN1 的漏极连接到栅极的 1MΩ 电阻器形成 NMOS 二极管配置。任何通过 M1 寄生栅漏和栅源电容耦合到 VDRV 信号的外部耦合都可能导致 VDRV 信号上升。MN1 的二极管配置会灌入该电流，以防止 VDRV 上升过高，从而将 VDRV 钳位到 V_{ACT_CLAMP}。这足以使大多数电源开关保持关断状态。如果需要，还可以在 M1 的栅源之间放置一个额外的电阻（约为 250kΩ 或更高）。请注意，所施加的任何电阻在正常运行时都需要次级电源供电，总体功率预算中应考虑这一点。

除了 MN1 二极管钳位之外，MP1 的体二极管还有助于吸收任何耦合到 VDRV 的电流。对于大多数应用，等效电容 C_eq（C_DIV1 和 C_DIV2 的串联组合）通常约为数百纳法拉。如果功率传输停止一段时间，该电容会完全放电至 VSSS，并通过连接至 VDDH 的 MP1 的体二极管将 VDRV 二极管钳位至 VSSS 以上。通过 M1 寄生栅漏和栅源电容耦合到 VDRV 信号的任何外部耦合都被 C_eq 吸收，从而更大限度减少 VDRV 上的电压上升。

图 8-9 禁止电路