ZHCSN88 December 2023 TPSI3100-Q1
ADVANCE INFORMATION
9.2.3 应用曲线
图 9-2 过流保护的典型时序和行为- 在 t0 时：VDRV 被置为高电平，外部 FET 提供负载电流 ILOAD。ILOAD 处于正常工作范围内，低于警报级别设置 5A（标称值）。ALM1_CMP 和 FLT1_CMP 比较器输入电压低于 TPSI3100-Q1 的 VREF 设置的比较器阈值 0.3V（标称值）。ALM1 和 FLT1 故障通过外部上拉电阻器上拉至 VDDP 而被置为高电平。
- 在 t1 时：ILOAD 电流增加并达到 5A（标称值）的警报级别设置。ALM1_CMP 比较器输入电压达到其阈值 0.3V，ALM1 在 tALM_LATENCY 内置为低电平。由于尚未达到 FLT1_CMP 比较器输入阈值，因此 VDRV 仍然被置为高电平。FLT1 仍然通过外部上拉电阻器上拉至 VDDP 而被置为高电平。
- 在 t2 时：ILOAD 电流增加并达到 10A（标称值）的故障级别设置。FLT1_CMP 比较器输入电压达到其 0.3V 的阈值，VDRV 被快速置为低电平以禁用外部 FET。FLT1 在 tFLT_LATENCY 内置为低电平。由于 ALM1_CMP 比较器输入超过其阈值，因此 ALM1 仍然被置为低电平。
- 在 t3 时：由于 FET 已关断，因此 ILOAD 被移除。FLT1_CMP 和 ALM1_CMP 比较器输入降至其阈值以下，稳定至 VSSS。VDRV 仍然被置为低电平，使外部 FET 保持关断达 tREC_VDRV。FLT1 和 ALM1 分别在 tFLT_LATENCY 和 tALM_LATENCY 内置为高电平，向系统指示故障和警报条件已消除。
- 在 t4 时：由于 EN 保持高电平，VDRV 再次置为高电平，已经过 tREC_VDRV 时间，故障条件不再存在。外部 FET 启用，在正常工作范围内提供 ILOAD。