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ZHCSN88 December 2023 TPSI3100-Q1

ADVANCE INFORMATION

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

DVX|16

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

zhcsn88_oa

6.10 开关特性

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）。T_A = 25℃ 时的典型值。C_VDDP = 1µF，C_DIV1 = 47nF，C_DIV2 = 220nF，C_VDRV = 1nF。在 FLT1、ALM1、PGOOD 和 VDDP 之间连接 50kΩ 的上拉电阻器。R_RESP = 100kΩ（连接至 VSSS）。

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
电源和驱动器
t_{LO_EN}	EN 的低电平时间。	V_VDDH = 稳态。	5			µs
t_{HI_EN}	EN 的高电平时间。	V_VDDH = 稳态。	5			µs
t_{PER_EN}	EN 周期。	V_VDDH = 稳态。	10			µs
t_{LH_VDDH}	从 VDDP 上升到 VDDH（处于 50% 电平）的传播延迟时间。	EN = 0V， 1V/µs 时 V_VDDP = 0V → 5V， V_VDRV = 7.5V。		145		µs
t_{LH_VDRV}	在 90% 电平从 EN 上升到 VDRV 的传播延迟时间	V_VDDP = 5V， V_VDDH 稳态， EN = 0V → 5V， V_VDRV = 13.5V。		3	4.5	µs
t_{HL_VDRV}	从 EN 下降到 VDRV（电平为 10%）的传播延迟时间	V_VDDP = 5V， V_VDDH 稳态， EN = 5V → 0V， V_VDRV = 1.5V。		2.5	3.0	µs
t_{HL_VDRV_PD}	从 VDDP 下降到 VDRV（电平为 10%）的传播延迟时间。由于主电源断电导致的超时机制。	EN = 5V， -1V/µs 时 V_VDDP = 5V → 0V， V_VDRV = 1.5V。		140	160	µs
t_{HL_VDRV_CE}	从 CE 下降到 VDRV（电平为 10%）的传播延迟时间	V_VDDP = 5V， V_VDDH 稳态， EN = 5V， CE= 5V → 0V， V_VDRV = 1.5V。		3	4	µs
t_{R_VDRV}	从 EN 上升到 VDRV（电平从 15% 升至 85%）的 VDRV 上升时间	V_VDDP = 5V， V_VDDH 稳态， EN = 0V → 5V， V_VDRV = 2.25V 至 12.75V。		10		ns
t_{F_VDRV}	从 EN 下降到 VDRV（电平从 85% 降至 15%）的 VDRV 下降时间	V_VDDP = x V， V_VDDH 稳态， EN = x V → 0V， V_VDRV= 12.75V 至 2.25V。		10		ns
t_{REC_VDRV}⁽¹⁾	当检测到故障情况时 VDRV 保持低电平的时间。	V_VDDP = 5V， V_VDDH 和 V_VDRV 处于稳态， EN = 5V， FLTn_CMP 正脉冲为 3V，50µs 脉冲宽度。测量从 FLTn_CMP 变为低电平 (1.5V) 到 V_VDRV = 7.5V 的时间。		215	270	µs
比较器
t_{PD_CMP_VDRV_DIS}	传播延迟时间，故障比较器输出上升到 VDRV 置为低电平。	EN = CE = VDDP R_RESP ≤ 10kΩ V_UD = 100mV V_OD = 30mV 测量 V_{FLT_CMP} 越过 VREF 到 50% V_VDRV 的时间。	340	400	460	ns
		EN = CE = VDDP R_RESP = 100kΩ。 V_UD = 100mV V_OD = 30mV 测量 V_{FLT_CMP} 越过 VREF 到 50% V_VDRV 的时间。	660	735	830	ns
		EN = CE = VDDP R_RESP = 300kΩ。 V_UD = 100mV V_OD = 30mV 测量 V_{FLT_CMP} 越过 VREF 到 50% V_VDRV 的时间。	1090	1395	1785	ns
		EN = CE = VDDP R_RESP = 500kΩ。 V_UD = 100mV V_OD = 30mV 测量 V_{FLT_CMP} 越过 VREF 到 50% V_VDRV 的时间。	1270	2130	2880	ns
t_{DEGLITCH_CMP_F}	故障比较器下降输出抗尖峰脉冲。		4.2	5.7	8	µs
t_{FLT_LATENCY}	从故障比较器检测到上升或下降事件到在 FLT1 输出上指示的延迟。	EN = CE = VDDP R_RESP = 500kΩ。 V_UD = 100mV V_OD = 30mV 测量 V_{FLT1_CMP} 上升或下降并越过 VREF 到 50% FLT1 的时间。			30	µs
t_{ALM_LATENCY}	从警报比较器检测到上升或下降事件到在 ALM1 输出上指示的延迟。	EN = CE = VDDP R_RESP = 500kΩ。 V_UD = 100mV V_OD = 30mV 测量 V_{ALM1_CMP} 上升或下降并越过 VREF 到 50% ALM1 的时间。			30	µs

(1) 在基于锁存的器件上，即使 VDRV 被锁存为低电平，恢复计时器也仍然有效。如果故障条件消失并且 EN 被置为低电平，然后变为高电平以清除故障，则 VDRV 仍被置为低电平，直到恢复计时器到期。