ZHCSU19 December 2023 TPSI3100
ADVANCE INFORMATION
为了帮助确保实现可靠的电源电压,TI 建议 VDDP 和 VSSP 之间的 CVDDP 电容由一个用于高频去耦的 0.1μF 旁路电容器与一个用于低频去耦的 1μF 旁路电容器并联组成。必须在 VDDP 和 VSSP 引脚之间靠近器件的位置连接具有低 ESR 和低 ESL 的电容器。