图 9-7 过流保护典型时序和行为

• 在 t₀ 时：VDRV 被置为高电平，外部 FET 提供负载电流 I_LOAD。I_LOAD 处于正常工作范围内，低于警报级别设置 4A（标称值）。ALM1_CMP 和 FLT1_CMP 比较器输入电压低于 TPSI3100 的 VREF 设置的比较器阈值 0.31V（标称值）。ALM1 和 FLT1 故障通过外部上拉电阻器上拉至 VDDP 而被置为高电平。
• 在 t₁ 时：I_LOAD 电流增加并达到 4A（标称值）的警报级别设置。ALM1_CMP 比较器输入电压达到其阈值 0.31V，ALM1 在 t_{ALM_LATENCY} 内置为低电平。由于尚未达到 FLT1_CMP 比较器输入阈值，因此 VDRV 仍然被置为高电平。FLT1 仍然通过外部上拉电阻器上拉至 VDDP 而被置为高电平。
• 在 t₂ 时：I_LOAD 电流增加并达到 8A（标称值）的故障级别设置。FLT1_CMP 比较器输入电压达到其 0.31V 的阈值，VDRV 被快速置为低电平以禁用外部 FET。FLT1 在 t_{FLT_LATENCY} 内置为低电平。由于 ALM1_CMP 比较器输入超过其阈值，因此 ALM1 仍然被置为低电平。
• 在 t₃ 时：由于 FET 已关断，因此 I_LOAD 被移除。FLT1_CMP 和 ALM1_CMP 比较器输入降至其阈值以下，稳定至 VSSS。VDRV 仍然被置为低电平，使外部 FET 保持关断达 t_{REC_VDRV}。FLT1 和 ALM1 分别在 t_{FLT_LATENCY} 和 t_{ALM_LATENCY} 内置为高电平，向系统指示故障和警报条件已消除。
• 在 t₄ 时：由于 EN 保持高电平，VDRV 再次置为高电平，已经过 t_{REC_VDRV} 时间，故障条件不再存在。外部 FET 启用，在正常工作范围内提供 I_LOAD。

图 9-8 显示了典型的波形捕获。在时间 0μs 时，施加超过 5A 的负载电流 (I_LOAD) 脉冲。由于这高于 4.13A 的警报比较器阈值，因此 ALM1 指示器在 t_{ALM_LATENCY} 内被置为低电平，在这种情况下接近时间 5μs。大约在时间 15µs 时，施加超过 10A 的负载电流脉冲。由于这高于 8.27A 的故障比较器阈值，因此 VDRV 被快速置为低电平以保护功率 FET，I_LOAD 降至 0A。FLT1 在 t_{FLT_LATENCY} 内被置为低电平，在这种情况下接近时间 30μs。在第二个负载电流脉冲上，超过故障和警报比较器阈值。I_LOAD 降至故障和警报比较器阈值以下后，ALM1 和 FLT1 在接近时间 55μs 时置为高电平，指示不存在警报或故障。VDRV 保持被置为低电平，直到经过 t_{REC_VDRV} 时间（接近时间 180μs）。

图 9-8 过流保护和 VDRV 自动恢复