ZHCSU19 December   2023 TPSI3100

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  功率等级
    6. 6.6  绝缘规格
    7. 6.7  安全相关认证
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  电气特性
    10. 6.10 开关特性
    11. 6.11 绝缘特性曲线
    12. 6.12 典型特性
  8. 参数测量信息
  9. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 使能状态的传输
      2. 8.3.2 功率传输
      3. 8.3.3 栅极驱动器
      4. 8.3.4 芯片使能 (CE)
      5. 8.3.5 比较器
        1. 8.3.5.1 故障比较器
        2. 8.3.5.2 警报比较器
        3. 8.3.5.3 比较器抗尖峰脉冲
      6. 8.3.6 VDDP、VDDH 和 VDDM 欠压锁定 (UVLO)
      7. 8.3.7 热关断
    4. 8.4 器件操作
    5. 8.5 器件功能模式
  10. 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 CDIV1、CDIV2 电容
        2. 9.2.2.2 启动时间和恢复时间
        3. 9.2.2.3 RSHUNT、R1 和 R2 选择
        4. 9.2.2.4 过流故障误差
        5. 9.2.2.5 过流警报误差
        6. 9.2.2.6 VDDP 电容 CVDDP
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 卷带封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DVX|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

开关特性

在自然通风条件下的工作温度范围内测得(除非另有说明)。TA = 25℃ 时的典型值。CVDDP = 1µF,CDIV1 = 47nF,CDIV2 = 220nF,CVDRV = 1nF。在 FLT1ALM1、PGOOD 和 VDDP 之间连接 50kΩ 的上拉电阻器。RRESP = 100kΩ(连接至 VSSS)。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源和驱动器
tLO_EN EN 的低电平时间。  VVDDH = 稳态。 5 µs
tHI_EN EN 的高电平时间。 VVDDH = 稳态。 5 µs
tPER_EN EN 周期。 VVDDH = 稳态。 10 µs
tLH_VDDH 从 VDDP 上升到 VDDH(处于 50% 电平)的传播延迟时间。 EN = 0V,
1V/µs 时 VVDDP = 0V → 5V,
VVDRV = 7.5V。
145 µs
tLH_VDRV 在 90% 电平从 EN 上升到 VDRV 的传播延迟时间 VVDDP = 5V,
VVDDH 稳态,
EN = 0V → 5V,
VVDRV = 13.5V。
3 4.5 µs
tHL_VDRV 从 EN 下降到 VDRV(电平为 10%)的传播延迟时间 VVDDP = 5V,
VVDDH 稳态,
EN = 5V → 0V,
VVDRV = 1.5V。
2.5 3.0 µs
tHL_VDRV_PD 从 VDDP 下降到 VDRV(电平为 10%)的传播延迟时间。由于主电源断电导致的超时机制。 EN = 5V,
-1V/µs 时 VVDDP = 5V → 0V,
VVDRV = 1.5V。
140 160 µs
tHL_VDRV_CE 从 CE 下降到 VDRV(电平为 10%)的传播延迟时间 VVDDP = 5V,
VVDDH 稳态,
EN = 5V,
CE= 5V → 0V,
VVDRV = 1.5V。
3 4 µs
tR_VDRV 从 EN 上升到 VDRV(电平从 15% 升至 85%)的 VDRV 上升时间 VVDDP = 5V,
VVDDH 稳态,
EN = 0V → 5V,
VVDRV = 2.25V 至 12.75V。
10 ns
tF_VDRV 从 EN 下降到 VDRV(电平从 85% 降至 15%)的 VDRV 下降时间 VVDDP = x V,
VVDDH 稳态,
EN = x V → 0V,
VVDRV = 12.75V 至 2.25V。
10 ns
tREC_VDRV(1) 当检测到故障情况时 VDRV 保持低电平的时间。 VVDDP = 5V,
VVDDH 和 VVDRV 处于稳态,
EN = 5V,
FLTn_CMP 正脉冲为 3V,50µs 脉冲宽度。
测量从 FLTn_CMP 变为低电平 (1.5V) 到 VVDRV = 7.5V 的时间。
215 270 µs
比较器
tPD_CMP_VDRV_DIS 传播延迟时间,故障比较器输出上升到 VDRV 置为低电平。 EN = CE = VDDP
RRESP ≤ 10kΩ
VUD = 100mV
VOD = 30mV
测量 VFLT_CMP 越过 VREF 到 50% VVDRV 的时间。
340 400 460 ns
EN = CE = VDDP
RRESP = 100kΩ。
VUD = 100mV
VOD = 30mV
测量 VFLT_CMP 越过 VREF 到 50% VVDRV 的时间。
660 735 830 ns
EN = CE = VDDP
RRESP = 300kΩ。
VUD = 100mV
VOD = 30mV
测量 VFLT_CMP 越过 VREF 到 50% VVDRV 的时间。
1090 1395 1785 ns
EN = CE = VDDP
RRESP = 500kΩ。
VUD = 100mV
VOD = 30mV
测量 VFLT_CMP 越过 VREF 到 50% VVDRV 的时间。
1270 2130 2880 ns
tDEGLITCH_CMP_F 故障比较器下降输出抗尖峰脉冲。 4.2 5.7 8 µs
tFLT_LATENCY 从故障比较器检测到上升或下降事件到在 FLT1 输出上指示的延迟。 EN = CE = VDDP
RRESP = 500kΩ。
VUD = 100mV
VOD = 30mV
测量 VFLT1_CMP 上升或下降并越过 VREF 到 50% FLT1 的时间。
30 µs
tALM_LATENCY 从警报比较器检测到上升或下降事件到在 ALM1 输出上指示的延迟。 EN = CE = VDDP
RRESP = 500kΩ。
VUD = 100mV
VOD = 30mV
测量 VALM1_CMP 上升或下降并越过 VREF 到 50% ALM1 的时间。
30 µs
在基于锁存的器件上,即使 VDRV 被锁存为低电平,恢复计时器也仍然有效。如果故障条件消失并且 EN 被置为低电平,然后变为高电平以清除故障,则 VDRV 仍被置为低电平,直到恢复计时器到期。