图 7-1 中显示的简化电路图是使用 TPSI31P1-Q1 的典型有源预充电应用。TPSI31P1-Q1 与驻留在 TPSI31P1-Q1 初级侧的微控制器相连。外部功率电感器 L1 以及功率二极管 D1 和功率 FET M1 构成降压转换器拓扑。M2 是可选功率 FET，可实现反向阻断。M2 在预充电期间静态启用。分流电阻器 R_SHUNT 用于通过在 IS+上形成相对于 VSSS 的电压来监测 L1 中的电流。

向 VDDP 和 CE 施加的电源为高电平时，通过将 EN 置为高电平来开始预充电周期。如果 IS+ 低于 VREF-，则 TPSI31P1-Q1 将 VDRV 置为高电平以启用 M1，M1 开始在 L1 中存储能量。一旦 L1 中的电流达到设置的峰值电平（当 IS+ 达到 VREF+ 时会发生这种情况），VDRV 被置为低电平以禁用 M1。此时，L1 中存储的能量释放到电容 C_LINK 中。随着电感器电流减小，IS+ 上的电压降至 VREF-，并再次启用 M1。此过程在整个预充电周期中持续进行。

在 EN 状态为高电平时，TPSI31P1-Q1 会在预充电完成时使 VDRV 保持被置为高电平。

图 7-1 典型的有源预充电应用