TPSM365Rx 通过针对高侧和低侧 MOSFET 的逐周期限流电路在过流情况下得到保护。每个开关周期都会将电流与电流限制阈值进行比较。在过流情况下，输出电压会降低。

高侧 MOSFET 过流保护是通过典型峰值电流模式控制方案来实现的。当高侧开关在较短的消隐时间后导通时，将检测到高侧开关电流。在每个开关周期，将高侧开关电流与固定电流设定点的最小值，或与内部误差放大器环路的输出减去斜率补偿之后的值进行比较。由于内部误差放大器环路的输出具有最大值，并且斜率补偿随着占空比的增大而增加，因此如果占空比通常高于 35%，高侧电流限值会随着占空比的增加而降低。

当低侧开关接通时，也会检测和监控流经它的电流。与高侧器件一样，低侧器件会根据内部误差放大器环路的命令来关断。在使用低侧器件的情况下，如果电流超过这个值，即使振荡器通常启动一个全新的开关周期，也可防止关断。与高侧器件一样，关断电流的高低也受到限制。这称为低侧电流限值。如果超出低侧电流限值，低侧 MOSFET 将保持导通状态，高侧开关不会导通。一旦低侧电流降至此限值以下，低侧开关就会关断，并且只要自高侧器件上次导通后至少经过一个时钟周期，高侧开关就会再次导通。